可控硅脉冲触发电路（可控硅脉冲充电电路图）

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单相通用型可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器。其核心部件采用国外生产的高性能、高可靠性的军品级可控硅触发专用集成电路。

可控硅触发器的工作原理是，当控制电路中的电流或电压达到一定的阈值时，可控硅晶体管会被激活，从而改变电路中的电流或电压。

双向可控硅触发电路工作原理：可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

原理：尽管从形式上可将双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率双向晶闸管一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。

SCR3与周围元件构成普通移相触发电路，其原理这里从略。SCRSCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V)，SCR3选用BTl36，即600V的双向可控硅。

开关闭合后，电容c1开始充电，当充电至scr1的导通电压时，触发双向可控硅的控制极。双向可控硅工作，碰焊机种有电流流过。断开后触发信号消失，所以可控硅不工作。

当SCR3导通的时候，两个单向可控硅就会导通，这样一来，就可以用R2来控制是SCR3导通角从而控制两个单向可控硅在单周期的导通时间，达到控制电机转速的效果。

可控硅脉冲触发电路（可控硅脉冲充电电路图）

可控硅触发电路应用：以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。单结晶体管构成晶闸管触发电路盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。

单结晶体管触发电路原理单结晶体管触发电路（SCR）是一种可控硅（ControlledSiliconRectifier），它具有快速开关，可靠性高等特点。

单向可控硅的触发电路如图： VTVRC T是电源变压器，初级220伏次级9伏，通过4个二极管组成整流桥全波整流输出9伏直流电压，经过VW稳压管输出6伏给单结晶体管V提供工作电压。RC是单结晶体管的充电放电回路，VT是KP20A可控硅。

可控硅的4种触发方式：强电触发：采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。

触发脉冲的型式要有助于是晶闸管导通时间的一致性对于晶闸管串并联电路，要求并联或者串联的元件要同一时刻导通，使两个管子中流过的电流及或承受的电压及相同。

触发部分的设计要看可控端的电压和电流。举个例子：如果可控硅两端的电压最大值是311V，而它的控制电流要在15mA以下，你可以大概选个中间值，就6mA吧。那么用311V/50K=22mA。

强电触发：采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。采用触发二极管电路与这种结构相似。

对于第一次和第二次测量，良好的晶闸管将显示低电阻。（注意一些晶闸管，好的晶闸管显示低电阻和“OL”，坏的晶闸管（短路）将显示0ohm2次）。坏的晶闸管（开路）将显示“OL”2次。测试G和K引脚，将显示2次低电阻。

反向测量，对调万用表红、黑表笔测量可控硅两个主电极，黑表笔再触碰一下可控硅控制极一下再离开，可控硅被触发导通---测量过程同第1次，只是调换了可控硅两个主电极的方向测量了可控硅反向导通和维持导通的能力。

显见，在识别G、T1，的过程中，也就检查了双向可控硅的触发能力。如果按哪种假定去测量，都不能使双向可控硅触发导通，证明管于巳损坏。

1、因此，晶闸管的触发电路就是通过控制门电压来控制电流通断。

2、晶闸管触发电路是一种用于控制电路的电路，它使用晶闸管来控制电路的开关状态。晶闸管触发电路的原理是，当晶闸管的控制电压达到一定的阈值时，晶闸管就会从关闭状态转变为开启状态，从而控制电路的开关状态。

3、用于控制三相晶闸管导通和关断的电路。三相晶闸管触发电路通过调整触发脉冲的相位、频率和幅度等参数，来控制晶闸管的导通角，从而实现对交流电的精确控制。用于控制三相晶闸管导通和关断的电路是三相晶闸管触发电路。

4、晶闸管由截止到导通在门极上所加的控制信号称为触发信号，它可以是直流信号、交流信号或者是脉冲信号，一般常用脉冲形式的触发信号。

5、移相环节：改变触发脉冲与其主回路的电源电压的相位关系。脉冲输出环节：与其主回路的电位隔离。