电力开关器件sit（电力电子开关器件）

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电力电子器件是用半导体做的高速电子开关，其开关的速度远远高于机械开关，高的可以达到3MHz（也就是每秒钟开关3百万次），普通的也有几千次或者几万次。而机械开关，无论如何达不到这么高的开关频率。

各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。功率二极管是二端(阴极和阳极)器件，其器件电流由伏安特性决定，除了改变加在二端间的电压外，无法控制其阳极电流，故称不可控器件。

一是可以使装置总体的功率容量大。二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰。电力电子电路利用电力电子器件对工业电能进行变换和控制的大功率电子电路。

电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。

电力开关器件sit（电力电子开关器件）

静电感应晶体管是一种新型器件，可用于高保真度的音响设备、电源、电机控制、通信机、电视差转机以及雷达、导航和各种电子仪器中。1952年日本的渡边、西泽等人提出模拟晶体管的模型，1971年9月日本西泽润一发表SIT的研究结果。

静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。

静电感应晶体管是一种多子导电的器件，适用于高频大功率场合。

成本：从当前看，GaN元器件的价格相比SiC元器件要贵，但是随着技术的发展和市场规模的扩大，未来成本可能会下降。

工业用碳化硅为人工碳化硅，SiC含量为95%～95%，常含少量的游离碳，以及Fe2OSi和SiO2等杂质。

所以碳化硅(SiC)器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势。碳化硅(SiC)半导体具有比Si-IGBT更好的开关性能，因此SiC在高开关频率下产生的开关损耗较小。

碳化硅，是一种无机物，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

包含关系。IC：集成电路(integrated circuit)。

电力电子器件的基片已从Si（硅）变换为SiC（碳化硅），使电力电子新元件具有耐高压、低功耗、耐高温的优点；并制造出体积小、容量大的驱动装置；永久磁铁电动机也正在开发研制之中。

1、电力电子器件根据其被控制电路信号控制的程度通常分为以下几类：开关器件（Switching Devices）：这类器件的操作状态可以通过一个控制信号（通常是电压或电流）迅速切换，从导通到截止或反之。

2、按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件双极型器件、复合型器件三类。

3、按控制功能分为：不控，半控，全控。按载流子类型分为：单极型，双极型，复合型。

如可关断晶闸管（英文缩写：GTO）、电力晶体管（GTR）、功率场效应晶体管（Power Mosfet）、绝缘棚式双极型晶体管（IGBT）、静电感应晶体管（SIT）、静电感应晶闸管（SITH）、MOS晶闸管（MCT）等。

双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。

电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。

IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO。

绝缘栅双极晶体管 (IGBT)：IGBT是一种常见的功率半导体器件，它结合了MOSFET和晶闸管的特性，适用于中高功率应用。它们常用于逆变器、驱动电机以及电力电子应用。