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变频器可控硅怎么量不到电压
1、可能有以下原因。可控硅控制板击穿或开路不发电，处理方法可以用万用表检查可控硅若被击穿应更换。可控硅开放时间太迟电压低，处理方法可以调整可控硅的开放角。触发环节损坏不发电。
2、说明这个可控硅模块实际上没有工作，没有输出，在没有接上负载时出现的电压是此模块的漏电产生的，电流非常小，所以接上负载后电压就不见了。
3、变频器故障；变频器参数设置不正确；变频器给定值超过允许范围；电机故障，导致变频器报警并停止输出；电机过载，导致变频器报警并停止输出。
4、先测量下变压器B的左边次级线圈有没有输出（最好是能断开输出的一根脚测比较准确），如果没有那就是单结管的电路部分出了问题，很可能是管子烧了。
可控硅调压是变频吗还是定频
是变频调速，它是将可控硅组成变频电路，它也有交—交变频和交直交变频之分，但由于可控硅是半控器件，变频控制电路较为复杂。
“可控硅变压”的说法不妥，应该叫做【可控硅调压】。可控硅调压与传统变压器区别之一：传统变压器输出的是正弦波，而可控硅调压输出的不是正弦波。
可以通过变频器原理的调压技术，实际上就是一个可调输出电压的逆变器。要控制可控硅的导通角要首先有过零检测电路。过零检测可以采用比较器实现。
\x0d\x0a使用双向可控硅，在触发极施加移相脉冲信号，控制可控硅导通角，实现交流调压。\x0d\x0a用一个与交流电源同步的脉冲触发电路，使发出脉冲的导通脚从0度到180度变化，即可调节交流输出的电压。
变频器可控硅击穿是什么原因
首先电网电压过高，超出报警点。其次负载有故障。最后降速过程中参数设置不合理。以上就是高压变频器瞬间模块全部击穿的原因。
有几种可能：可控硅选小了 散热面积不够 可控硅与散热片接触面没有压紧。调功柜通风系统不好，空气不对流。
变频器烧功率可控硅有以下原因：1；变频器本身的散热风机质量不好，运行一些时间后烧掉，而导致可控硅散热不良而损坏。
为什么变频器工作时,会干扰同柜的可控硅调节电压(如电加热器)工作?
1、加强变频器电源进线的屏蔽和电源滤波，和加强可控硅触发电路的屏蔽和电源滤波。 就OK了。
2、谐波干扰：整流电路会产生谐波电流，这种谐波电流在供电系统的阻抗上产生电压降，导致电压波型发生畸变，这种畸变的电压对于许多电子设备形成干扰(因为大部分电子设备仅能工作在正弦波电压条件下)，常见的电压畸变是正弦波的顶部变平。
3、因为整流电路会产生谐波电流，这种谐波电流在供电系统的阻抗上产生电压降，导致电压波型发生畸变，这种畸变的电压对于许多仪表形成干扰，常见的电压畸变是正弦波的顶部变平。
4、晶闸管换流设备对变频器的干扰 当供电网络内有容量较大的晶闸管换流设备时，由于晶闸管总是在每相半周期内的部分时间内导通，容易使网络电压出现凹口，波形严重失真。
5、变频器烧功率可控硅有以下原因：1；变频器本身的散热风机质量不好，运行一些时间后烧掉，而导致可控硅散热不良而损坏。
变频器可控硅烧毁的原因?
1、环境温度也是造成功率单元烧毁的一个重要原因。
2、变频器烧功率可控硅有以下原因：1；变频器本身的散热风机质量不好，运行一些时间后烧掉，而导致可控硅散热不良而损坏。
3、富士变频器可控硅上一个电容坏了不会烧掉可控硅。
4、电压击穿，回路中有瞬态过电压，瞬态过电压的产生有多种原因，比如系统中断路器的合闸或分闸，可控硅的触发故障也会导致硅两端出现过电压 触发回路故障导致门级烧坏而击穿 书上还介绍过硅温度过高导致击穿。。
5、一般情况下不会坏，因为保护很全面，如果坏，可能有几种原因：整定数据不对，堵转倍数和电流过载倍数设置有问题，查看P17P17P180、P181，一般在正负130以内。
6、过流、超频等保护功能完全没起作用。电机额定输入功率大于变频器的额定输出功率，严重不匹配。电机的绝缘或线圈的匝间短路。电机的拖动负载过大。220V输入电压不稳或者有接触不良打火现像等等。