本文目录一览：
- 1、三极管的导通条件是什么?
- 2、三极管的导通条件是啥?
- 3、三极管导通条件
- 4、三极管的导通条件?
三极管的导通条件是什么?
1、三极管的导通条件 截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时IB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。
2、三极管为锗PNP三极管，导通条件为：发射结正偏导通。即：UbUe 且 Ub-Ue≤-0.3V。三极管截止图中：Ube=Ub-Ue=0.3V，UbUe，三极管截止。
3、三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，继硅管加0.7V；锗管加0.2V。
4、基极电位比发射极高0.7V以上，集电极 电位 比基 极高0.7V以上。
三极管的导通条件是啥?
1、三极管的导通条件 截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时IB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。
2、三极管为锗PNP三极管，导通条件为：发射结正偏导通。即：UbUe 且 Ub-Ue≤-0.3V。三极管截止图中：Ube=Ub-Ue=0.3V，UbUe，三极管截止。
3、三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，继硅管加0.7V；锗管加0.2V。
4、基极电位比发射极高0.7V以上，集电极 电位 比基 极高0.7V以上。
5、PNP管的导通条件是，UeUb，UcUb时可以可以导通三极管导通满足两个条件：（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。同时满足才能导通。如果PNP管的E接+5V，只要B小于3V，C点电压为负且远远小于B点电压即可。
三极管导通条件
三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。
三极管为锗PNP三极管，导通条件为：发射结正偏导通。即：UbUe 且 Ub-Ue≤-0.3V。三极管截止图中：Ube=Ub-Ue=0.3V，UbUe，三极管截止。
三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，继硅管加0.7V；锗管加0.2V。
集电极与基极间正向偏置：同时确保集电极与基极之间的电压也为正，且大于一定的电压阈值。当这些条件满足时，NPN三极管就会处于导通状态。
导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。
三极管的导通条件?
三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。
三极管为锗PNP三极管，导通条件为：发射结正偏导通。即：UbUe 且 Ub-Ue≤-0.3V。三极管截止图中：Ube=Ub-Ue=0.3V，UbUe，三极管截止。
三极管的导通条件 截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时IB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。
三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，继硅管加0.7V；锗管加0.2V。
