gd32mcu芯片（gd32 芯片）

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驱动继电器导致单片机复位一般的解决办法是在继电器两端并上一个二极管跟一个10u左右的电容（当然看情况而定）。二极管有防止回流的作用（要反接），电容有消除继电器产生火花的作用。

继电器因为动作瞬间触点容易打火，造成对电路的干扰，所以为解决这个问题，单片机一般不是用IO口直接控制继电器，一般都是加一个个隔离光耦来实现对继电器的控制。

tpdstabilized等于1000ms。设备通电后，需要时间来稳定供电电压和时钟信号，以使芯片内部的电路能够正常工作，时间被称为上电复位时间，gd32f407的上电复位时间为1000ms。

使用示波器测试MCU电源，在SD卡插入瞬间，MCU电源电压跌落到5V以下，正常GD的大部分产品供电范围是6V~6V之间，低于6V会造成硬件复位。

电机是感性负载，不能简单用触点式继电器控制。解决的办法是：在触点之间，并上一个高压电容与大功率电阻的串接回路。参数要根据你电机的情况确定，电容大致为几百nF，耐压600V以上，电阻一般为十欧左右，2-5W。

gd32mcu芯片（gd32 芯片）

没啥区别，103更好一些。GD32VF103基于RISC-V指令集而开发设计的第一款通用型MCU，其本质上不同于基于ARMCortex-M3的GD32F103系列MCU。RISC-V指令集为开源指令集，基于RISC-V开发的CPU核并不需要支付指令集授权费用。

GD32F303是对GD32F103的升级版本。GD32F103是GD早期的产品，GD32E103和GD32F303是对GD32F103的升级和优化，所以4者是兼容的，虽然内核不同，但是通用外设几乎很少涉及到内核部分。

是的。gd32是支持stlink的。苹果以允许Xerox向自己投资作为条件(一百万美元的预售初次发行股票，约值18，000，000美元)，换取苹果的工程师进入PARC研究所工作3天的权利。

无线充电部分，电路板比较简洁。Giga Device 单片机 GD32F350K8U6 64K FLASH 8K SRAM。单片机详细参数。

内存芯片也有黄金，不过很薄，就在金手指（目的是接触式导通）位置可以看到。内存金手指就是内存片与主板插槽连接的，排列整齐的一排触点，也可以说是导体，为了保证外露导电位不被氧化，所以一般是会镀金处理的。

1、内核是Cortex-M3的升级版，兼容Cortex-M3，实现了Flash的零等待技术，没有了提取指令的时间，代码执行效率更高了。通俗的说就是代码执行速度变快了。

2、GD32能与STM32兼容，主要是因为它们在硬件设计、指令集和软件开发工具等方面存在高度的相似性和兼容性。GD32和STM32都是基于ARM Cortex-M内核的32位微控制器。

3、理想是兼容的，实际还要改一些东西。外设基本没变，时钟变化比较大，需要重新配置。电气部分注意一下可能会不一样。CAN1的初始化时必须先打开CAN0的时钟。

4、STM32国产芯片和进口芯片的区别主要有以下几点：生产厂家：国产芯片是由国内厂商生产的，而进口芯片是由国外厂商生产的。技术水平：进口芯片通常在技术研发方面更加先进且成熟，而国产芯片在技术水平上可能相对滞后一些。

5、内核：GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核。主频：使用HSE，GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M；使用HSI，GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M。

1、中颖电子成立于1994年，主要从事消费类和工业控制类电子芯片的研发、设计与销售。核心产品广泛应用于家电主控、锂电池管理、电机控制、智能电表及物联网领域。

2、你好，根据您所描述的这种电池是属于纽扣电池。纽扣电池是不可以充电的。没有充电器可配。建议您直接更换电池就可以。

1、兆易创新（GigaDevice）发布了据称是世界上首款基于RISC-V的通用微控制器(MCU)， RISC-V是一款面向物联网(IoT)市场的设备。兆易创新总部位于北京，是国内规模较大的非易失性存储器(NVM)制造商之一。

2、目前国内的平头哥、兆易创新、华米、乐鑫、芯来、格兰仕等众多厂商都有推出基于RISC-V架构的芯片，此外华为也在积极的研发基于RISC-V架构的芯片。

3、RISC-V的优势RISC-V是全面开源免费的，允许任何用户自由修改、扩展，而ARM需要支付高昂的IP费用才可以使用。

4、近期，业界领先的半导体供应商兆易创新正式推出全球首个基于RISC-V内核的GD32V系列32位通用MCU产品，提供完整工具链并持续打造RISC-V开发生态。

果芯片的打开了读保护程序不能烧写进芯片，keil的提示信息如下：打开jlink-commander，可以发现芯片。输入“mem0x1ffff80010，从0x1FFFF800地址读取10个字节。

属于数据异常抖动问题，可以增加对基准电压的采样。具体解决步骤如下：增加采样保持时间。在电压信号相差较大的信道中间，增加对基准电压的采样，使信号处于平均值，在切换通道时不会因为充放电不及时导致数据错误。

gd32f450内存读取速度比之前的快10%~20%左右。GD的工作电压范围要窄一点，GD32：6~6V，GD32采用二代的M3内核，主频最大108M。GD32单片机是指由国内芯片公司兆易创新GigaDevice研发设计的一系列单片机。

MicroLIB程序中如果使用了printf，就需要MicroLib的支持，在MDK中需要勾选UseMicroLib。查找之后，发现正是没有勾选MicroLIB的原因导致的，但是奇怪的是，在debug模式下，打印倒是正常的。