本文目录一览：
- 1、三极管中什么是饱和压降
- 2、什么是三极管的饱和压降?
- 3、三极管饱和时“Uce”的压降是多少?
- 4、三极管饱和导通电压是多少
- 5、三极管的饱和管压降指的是
- 6、为什么三极管的深度饱和电压降是0.2伏
三极管中什么是饱和压降
1、三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降，一般在1V左右。
2、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
3、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
4、三极管饱和区时，Uces和Uce的区别如下：指代不同：Uces：饱和状态。Uce：压降。原理不同：Uces：发射结和集电结都处于正偏，输出集电极电流决定于外电路参量。Uce：负载两端的电势差引起电压降。
5、饱和时管压降是指三极管饱和状态下的VCE的电压，通常为零点几V，大功率的为2~3V。饱和管压降：三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降。最大管压降：三极管VCE所能承受的电压。
6、当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。
什么是三极管的饱和压降?
三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降，一般在1V左右。
三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
饱和时管压降是指三极管饱和状态下的VCE的电压，通常为零点几V，大功率的为2~3V。饱和管压降：三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降。最大管压降：三极管VCE所能承受的电压。
当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。
.7v是硅三极管pn结之间的正向压降；而三极管的饱和压降、是指三极管饱和导通后CE之间的压降。这个饱和压降用ces来表示。他的离散性较大，不一定都是0.1V。
三极管饱和时“Uce”的压降是多少?
因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。
深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
上图中：ib=(12-0.7)/10=17毫安，由于基极电流足够大，理论上ic=50*ib=511ma。三极管处于饱和状态，uce=0.2~0.3v，由于r1大于r2，实际ic最大值为：（12-0.3）/47=0.25毫安，。
当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。
三极管饱和导通电压是多少
首先明确一点三极管饱和导通时候Vbe=0.7V，Vce=0.3V，因为β会随着温度、湿度等发生变化，所以这里假设β=100，方便计算。
因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。
对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右，但是如果不是处于饱和区而是出于放大区，就不确定了，只能确定集电极电流是基极电流的β倍。
三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7v左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2v、2a的字样，意为2a电流时的饱和压降为2v。
三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7V左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2V、2A的字样，意为2A电流时的饱和压降为2V。
三极管的导通电压是不确定的，因为是电流控制元件。
三极管的饱和管压降指的是
1、饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
2、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
3、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
4、饱和管压降是uce，饱和状态时uce小于ube。
5、饱和时管压降是指三极管饱和状态下的VCE的电压，通常为零点几V，大功率的为2~3V。饱和管压降：三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降。最大管压降：三极管VCE所能承受的电压。
为什么三极管的深度饱和电压降是0.2伏
三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。
三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。
深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。
三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7v左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2v、2a的字样，意为2a电流时的饱和压降为2v。
饱和：晶体管CE压降很小，一般是0.2-0.3V，大功率管高反压管可能会大一点，所以在开关电路中与传统开关的闭合等效，此时允许通过的电流与Icm有关。