间接带隙半导体的光电器件（间接带隙半导体发光过程）

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1、所以硅这种间接带隙半导体不适合作光器件.与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

2、半导体具有光生伏特效应，因此无论直接带隙或间接带隙半导体均可接收光子能量并使价带电子跃迁至导带并产生光电流，即作为光探测器，只是灵敏度和探测波长有差异。

3、直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。

1、间接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料只能吸收并转换为热能。因此，间接带隙材料不能产生光电效应，也无法通过光致发光和光电导性进行测量。

2、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

3、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

4、硅、砷化镓等半导体材料。根据百度百科查询，间接带隙半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由外部的应力或磁场等引起的，此时带隙值会受到外界环境的影响，而且会随着外部环境的变化而变，例如：硅、砷化镓等半导体材料。

5、从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材料的这种只需要吸收能量的特点，它是这种跃迁类型是由它这种材料本身决定的。样品的直接带隙和间接带隙是轨道理论判断的。

间接带隙半导体的光电器件（间接带隙半导体发光过程）

1、直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。

2、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

3、一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。

4、简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体，间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。

1、因为硅是间接带隙半导体材料，其发光效率很低。所以半导体激光器采用的是高发光效率的gaas、ingan等直接带隙半导体材料做有源层。

2、半导体激光器需要电制冷的原因有以下几点：半导体激光器工作时会产生热量，需要冷却才能保持稳定的工作状态。半导体激光器对温度非常敏感，温度过高会导致激光器性能下降、光束质量变差、输出功率波动等。

3、温度对半导体激光器的输出功率是有一定影响的，由于半导体激光器在运行的时候会产生一定的热量，热量过大。

4、如果不把这些热量带走，累积起来，就会造成半导体激光器本身的温升。轻一点的话，会影响半导体激光器的正常工作；严重的话，会使半导体激光器报废。冷却，一般分为风冷和水冷两种方式。

1、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

2、直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。

3、直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。

发光二极管它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。

led灯由半导体晶片材料制成。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。

安全性高：LED灯珠的工作电压一般是0-0V之间，所以安全性高，即使触电，也没有危险。运用灵活：由于体积很小，所以可以灵活运用，做成各种体积、各种类型的灯。