晶体三极管参数（晶体3极管）

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DG6D NPN 6 通用 30V20mA0.1W150MHz 可用市场上基本都有买的9019019018050，2N5551小功率NPN型高频三极管代换；也可用3DG12C是NPN型高频中功率三极管代换。

DG6是国产的小功率硅NPN型三极管。型号中的D表示该管为NPN管，G表示该管为高频小功率管。其Pcm=100mW、Icm=20mA，性能参数很一般。你可以用现在常用的9014三极管直接代换。

国产的3DG10101111 ；日本型号2SC1811818280 ；美国型号2N7777787983957 、5581 ；一般来说只要是硅材料NPN型高频小功率三极管都可代换。 3DG6极限参数25V 50mA。

三极管3DG6中3表示三极管，D为NPN型硅材料，G为高频小功率管，6为三级管的参数。所以总节来说是以NPN型硅为材料，高频小功率，参数为6的三极管。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

DG6三极管是：NPN型硅高频小功率三极管。NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用。

DG6D是国产npn硅平面型小功率三极管，后缀D表示耐压值为30V(Vceo)。用色标作为HFE的分档标识，其中，黄点（HFE）30—60；绿点50—110；蓝点90—160；白点140—200。

晶体三极管参数（晶体3极管）

1、YMC-Triart+C18：使用C18修饰的Triart硅胶填料，C18是一种常见的反相色谱填料，对疏水性化合物有良好的保留作用。YMC-Pack+Pro+C18：同样使用C18修饰的填料，但具体的材料和技术可能略有不同。

2、Hypersil BDS 类色谱填料是极好的反相柱填料，有很好的耐久性及重现性，应用范围极其广泛。

3、aceexcel5c4柱反接可以。aceexcel5C4反相色谱柱是一款适合于蛋白质分离分析用的反相色谱柱。使用3微米粒径的硅胶填料，优化了孔径，固定相配体的烷基链长及表面键合密度，可实现高分。

4、是反相LC和正相LC 之所以这么命名是因为反相LC所使用的流动相极性大于色谱柱的极性。

1、ag1晶体管参数有：类型：PNP三极管。集电极最大耗散功率（PCM）：0.05W。集电极最大允许电流（ICM）：0.01A。集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20V。集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：10V。

2、最大耗散功率(PCM)：0.05W，最大允许电流(ICM)：0.01A，μA特征频率(fT)：30MHz。

3、参数为：耐压值10V，Icm=10ma，Pcm=50mw，ft大于等于20mhz。3aa118三极管参数为：耐压值10V，Icm=10ma，Pcm=50mw，ft大于等于20mhz，3AG1是高频小功率三极管，一般在高放、中放、变频、振荡电路中使用。

4、AG1系列高频小功率PNP型锗管，特征频率：B档25MHz，D档50MHz，8550与9012均是功率放大管，不合适用作高频放大，尽管特征频率够用，但是结电容太大。

5、最大耗散功率是0.1w。3dg201晶体管参数最大耗散功率是0.1w。集电极最大允许电流是0.02a，集电极与发射极反向击穿电压是20v，集电极与基极反向漏电流是0.05ua。

①电流放大倍数P。它是衡量晶体管放大能力的一个主要参数，由集电极电流变化量与基极电流变化量的比值来表示，即(3=A/yA/b，p值在20~100之间。（3太高会使晶体管性能不稳定；p太低会导致放大作用不好。

晶体三极管的主要参数：1．电流放大系数（共射）包括直流电流放大系数和交流电流放大系数。

三极管的主要参数：电流放大系数β、集电极/发射极击穿电压和工作频率。电流放大系数β电流放大系数β，它描述的是三极管对电流信号放大能力的大小。β值越高，对小信号的放大能力越强，反之亦然。

表征晶体管的三个参数是直流参数、交流参数、极限参数。

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。※ 电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。

是很常见的元件之一。其主要参数包括最大集电极电压（Vceo）、最大耗散功率（Pd）、最大集电电流（Ic）、基极发射极电流（Ibe）等等。这些参数通常会列在其数据手册中。需要根据具体电路需求去选择最合适的13003三极管参数。