包含模电三极管例题的词条

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1、首先，我们需要确定三极管的静态工作点，即基极电流 IB、集电极电流 IC 和集电极-发射极电压 VCE 的值。静态工作点可以通过直流电路分析来确定。在静态工作点附近，三极管的交流特性可以近似为线性。

2、三极管工作在饱和区时，其发射结与集电结均为正偏。

3、“Vce=Vbe≈0.7V”，是电路的一种特殊工作状态。理论上，一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和，Vce＜Vbe的状态则称为过饱和。

4、第一步是元件不化简（就是三极管不张开，但是bec三口分清楚），包括电容的去处，直流电压电源的接地，把接口化好点，接下来就是三极管的展开，就是加入rbe和等效电流ic，在简单处理一下就好了。

1、因为射极电阻减小了，所以负反馈取消，信号增益变大，进入饱和区，发生消顶失真。C断开后明显是射极电阻增大，反馈系数增大，基极电流减小输出减小。

2、解析：硅（Si）的管压降0.7V，锗（Ge）的管压降0.3V。

3、静态工作点可以通过直流电路分析来确定。在静态工作点附近，三极管的交流特性可以近似为线性。因此，我们可以使用小信号模型来分析电路的放大特性。小信号模型：在小信号模型中，三极管被一个等效的二极管和一个电阻串联而成。

4、只能放大电压的是共基极电路，三极管稳压电路就是一个例子。另外，共射极电路有电压放大作用，我们学习放大电路时用的就是共射极电压放大电路。

5、RC=(VCC-UCEQ)/ICQ=4KΩ RB短路。管子VBQ=VCC 使管子两PN结均正偏，管子处于饱和状态，电路不能放大 RC开路，静态时，由于VCC无法向集电极提供偏置电压和集电极偏流，管子相当于处于截至状态，电路无法放大。

答案是A，发射区就可以看做一个二极管，箭头朝里的是锗管，朝外是硅管，锗管饱和导通的压降是0.5伏，硅管0.7伏。因此只有A管导通，B管电压反向，截止。C管0.3V，小于0.5，故没有导通。书中答案是C，真够让人迷惑。

因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。

饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。

因此三极管集电极电流可达到（先不考虑集电极电阻的影响）Ic=βIb=9mA。由已知，集电极电流为（12V - 0.3V）/3kΩ≈4mA时，三极管就会饱和。而9mA4mA，可知三极管必然处于饱和状态。注：硅管的饱和压降约0.3V。

三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

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1、)这是NPN管，集电极为正，基极比发射极高0.7，应该是放大状态。2)这是NPN管，集电极为0，但是发射极为-6，这等于是集电极为正，基极比发射极高0.7，应该是放大状态。

2、答案是A，发射区就可以看做一个二极管，箭头朝里的是锗管，朝外是硅管，锗管饱和导通的压降是0.5伏，硅管0.7伏。因此只有A管导通，B管电压反向，截止。C管0.3V，小于0.5，故没有导通。书中答案是C，真够让人迷惑。

3、IN=5V，Ib3=(5-0.7)/2K=58mA，Ic最大电流为(12-0.7)V/1K=13mA，因此只要BG3的β大于3就是饱和状态。BG3饱和→BG1饱和→BG2集电极电位=12-0.3-(6/6)0.1=13V，BG2处于放大状态。

4、看来模电快挂了。。对NPN管，CBE，是放大 BE 0.7V，是饱和，此时Vce0.3V BE，截止，就是三极管没导通，Vce可以很大对PNP管，需要反过来。。

5、NPN管判断方法如下：截止状态：Ube0.7V；（如果是锗管则Ube0.3V）放大状态：Ube0.7V，UceUbe；饱和状态：Ube0.7V，UceUbe。你的图（d）中，三极管是NPN。

6、三极管的三种工作状态分别是截止状态、放大状态和饱和导通状态。