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可控硅的吸收电容(可控硅吸收电容怎么选)

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可控硅阻容吸收电容短路

感性负载在断电的瞬间,反峰值电压可以达到额定电压的几倍,可以造成吸电路收阻容元件击穿。

阻容保护电路出现短路电流的原因:保护电路中的电容耐压太低,被击穿短路。在可控硅的控制电路中,常常在可控硅的两端并联RC串接的保护电路,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

遇到可控硅短路的问题,解决办法如下:更换新的开关管。将坏掉的管子用万用表电阻档测试是否有短路或开路的现象。检查整流桥电路有无短路或断路现象。检查控制板上的保护二极管和保险丝是否烧断。

会。阻容吸收是一种保护措施,用于吸收电路中的浪涌电压和电流,以保护电路中的电子元件。然而,阻容吸收器中的电容失效或漏电,就会导致可控硅漏电。可控硅是一种常见的电子元器件,广泛应用于电气控制领域。

为了限制电路电压上升率过大,确保可控硅安全运行,常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

可控硅的rc吸收电路参数型号的选择

1、电阻选择几十到几百欧的都可以,电容选择几KP的。最好用示波器对比下可控硅两端的波形,在进行参数微调。

2、一般R=10欧 10W,C= 0.1uF/400VAC或更高。

3、可控硅的导通的条件:两级有电压,G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时,光耦导通,两个电阻RR10和光耦形成回路。

可控硅带感性负载,其阻容吸收的电阻电容参数怎样选择

1、推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择,与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围,来满足要求,确保可控硅不会损坏。

2、电阻选择几十到几百欧的都可以,电容选择几KP的。最好用示波器对比下可控硅两端的波形,在进行参数微调。

3、电阻至少大于或等于10倍负载阻抗(阻性负载,感性负载用电压除电阻不得大于线路保护电流的100分之一【这个我没试验过,仅供参考】)。

可控硅上的电容和电阻是做什么用的

1、阻容吸收电路,作用是减小可控硅两端电压的变化率,防止误导通。可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。如果可控硅两端电压的变化率太大,就会产生误导通。

2、电阻和电容串联后与可控硅模块的并联,电阻和电容的作用就是为了抗干扰,对保护可控硅是没有作用的。

3、R18,R33 跟IC5组成可控硅触发电路,两个电阻起限流作用,保护光耦及可控硅。R2C7组成阻容吸收回路,可吸收瞬间的高电压,起到保护作用。你电路图画对了吗?一般不用直流光耦驱动的,都用交流输出的光耦驱动的。

4、双向晶闸管,阻容移相,用于调压。电容和电阻配合,改变导通角。