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三极管饱和时“Uce”的压降是多少?
深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。
因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
双极型晶体三极管在饱和状态时不但发射结正向偏置，集电结也处于正向偏置。
我认为是对的：1）ube =-0.2v，uce =-0.3v 这说明你这是pnp型的三极管，如果是锗管，ube==-0.2v已经是基极的导通电压。2）在锗管的情况下，饱和电压一般就是-0.3v以下，你的uce =-0.3v，正好就是饱和压降。
为什么三极管的深度饱和电压降是0.2伏
1、三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。
2、三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7v左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2v、2a的字样，意为2a电流时的饱和压降为2v。
3、三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。
三极管饱和导通压降怎么算的?
解释：输入电压5V时，三极管（NPN型）处于饱和状态，由于忽略集电结的饱和导通压降，所以输出为0；输入0V时，三极管处于截止状态，所以输出为0V。
饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
就你说的NPN（硅材料）三极管处于深度饱和工作状态而言，其反射结正向偏置电压Ube=0.6V，集电结正向偏置电压Ubc=0.4V，这时它的饱和压降Uces=Ucb-Ueb=-Ubc-(-Ube)=Ube-Ubc=0.6V-0.4V=0.2V。
三极管中什么是饱和压降
1、三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降，一般在1V左右。
2、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
3、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
4、当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。
5、饱和时管压降是指三极管饱和状态下的VCE的电压，通常为零点几V，大功率的为2~3V。饱和管压降：三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降。最大管压降：三极管VCE所能承受的电压。
6、三极管饱和区时，Uces和Uce的区别如下：指代不同：Uces：饱和状态。Uce：压降。原理不同：Uces：发射结和集电结都处于正偏，输出集电极电流决定于外电路参量。Uce：负载两端的电势差引起电压降。
三极管的饱和压降是多少?
三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降，一般在1V左右。
深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。
三极管饱和时Uce压降可以达到0.1V以下，甚至更低。一般情况下，在安全值以内，Ib越大，Uce越小。
小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。