关于k596三极管的信息

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大于100V、15A、115W的NPN功率管都可替代。如MJ1502MJ15024。

大功率三极管2N3055替换三极管型号 2N3055是一大功率三极管，其参数如下图所示.2N3055可以用TIP35C，MJ15024，MJ3055代替。2N3055A耐压100V、最大电流15A。功率115W.2N3055C、H、U、V，耐压140V，电流30A，功率150W。

可以用TIP35C，MJ15024，MJ3055代替。

N3055；NPN；金属草帽状大功率管；60v；15A；115W；3DD207；NPN；金属草帽状大功率管；60v；5A；50W；因为C5244的参数要高于2N3055或者3DD207，所以可以代替它们（2N3055或者3DD207）。

N3055不是MOS管，是大功率三极管。100v15A，115W。一般用在低压电路中做功率放大。用TIP35，D1975，D2155都可以代换。主要考虑电流和耗散功率就可以了。

，N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

1、MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

2、MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。

3、PMOS（P型金属氧化物半导体）和NMOS（N型金属氧化物半导体）是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的两种主要类型，它们是常用的场效应晶体管，用于电子电路中的开关和放大功能。

4、MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管，N沟道耗尽型管；P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。

5、纠正你一点，MOS管可不叫P型和N型，那是掺杂半导体的专用称呼。应该称作N沟道，P沟道，否则会被内行笑话的。

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1、一般硅的PN结耐高温极限值是175摄氏度，但真正使用起来不应高于70度，锗材料最高温度约75 - 85度，一般不能超过60度。结温越低，寿命和可靠性大大增加。

2、绕组温升限值（K）60 75 80 100 125 性能参考温度（℃）80 95 100 120 145 在发电机等电气设备中，绝缘材料是最为薄弱的环节。绝缘材料尤其容易受到高温的影响而加速老化并损坏。

3、至于Rx1k挡，该挡电池电压较高，常见的有1v，12v，15v，25v等几种，反测时有可能造成PN结击穿，故此挡也应慎用。

4、他的耐温等级、热传导率、线胀系数、热稳定性、高绝缘性和耐侯能力，都比环氧树脂的性能优越的多，耐热都在290—320摄氏度之间，和铁放在一起烧，在铁被烧的变成兰色（300度C）但硅酮树脂不冒烟，不着火。

5、高达60摄氏度。所有公布的PVC尺寸标准化参考点通常适用于22摄氏度的温度。低温通常不会影响PVC管的强度，但随着PVC管升温，它会变得更加柔韧，无法容纳加压流体。根据PVC管的具体规格，具体的温度上限可能略有不同。

6、发电机定子绕组、铁芯绝缘等级为F，温度最高不得超过极限温度105℃ 。发电机额定运行中定子绕组、铁芯温度范围在60℃-80℃之间。

可以用国产管3CD50D代替。也可以用BD242B BD244B BD580 BD590代替。

B1328 可以用：2SA1402SA1502SB1414 代换。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

可以用5558050代换。对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。

功放管1559完整型号应该是2SB1559，是锗PNP型达林顿功放管，没有与之参数相同或相近可直接替代的型号。

你可以用容易买到的2SD879来代换，一定行。