70可控硅（可控硅010v）

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昆二晶：昆二晶是国内知名的半导体器件供应商，专注于可控硅整流器的研发、生产和销售。中望软件：中望软件是国内领先的工业软件企业。

国产可控硅十大品牌包括：昆二晶、中望软件、华大九天、广联达、荣登、萨科微、南京卡斯电子、正邦电子、浙江昆二晶整流器有限公司、方片式单双向可控硅厂家等。

管芯不同：国产可控硅模块所采用的管芯是圆片，而国外可控硅模块所采用的管芯是方片。参数不同：国产可控硅模块整体参数的一致性、重复性较差，且参数的离散性较高。

可靠。国产可控硅质量是通过国家认证的，所以说是非常可靠的。可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

金航标萨科微已经成为半导体和信息产业“国产替代”的首选品牌。

具体的参数，国产的都和进口的一样。但是差距就是国产的质量不稳定。品质时好时坏。国产的可控硅外观封装，以及散热上都是仿NXP 和ST 的。都是大牌子，没什么区别。

1、bt136双向可控硅参数包括：最大额定电压值在400V到800V之间。最大额定电流在4A到16A之间。最大额定功率值在1W到3W之间。触发电流为5mA到30mA。触发电压为0.2V到5V。

2、这两个双向可控硅的耐压都是600V，最大电流分别是16A。触发电压一般在2V以下，触发电流一般在5-30mA比较多。不是型号相同触发电流就一样的。触发电压和触发电流大了不要紧的，开关速度会加快。

3、BT136是双向可控硅\x0d\x0a主要用途：家用电器控制电路、变频电路、调光、调温、调速电路。\x0d\x0a主要特点：击穿电压高、输出电流大。

70可控硅（可控硅010v）

--★再说电路本身：①、仅就充电回路来看，电容耐压3V是不合理的，电容有可能被击穿；②、即使充电完成，1000μ电容放电，过大的电流会损坏双向可控硅的。

电压击穿可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

可控硅的电流应该是从A极（又称阳极）流入，从K极（又称阴极）流出的，应该采用图1的电路，这样触发控制效果好，否则控制极（G极）容易被电感应电势而击穿。

可控硅是在门极和阴极之间施加正向电压才能导通，所以肯定是直流。而且这是一个脉冲信号，只有几个ms而已。

从而实际强触发，加速了元件的导通，提高了耐电流上升率的能力。能耐较高的电压上升率（dv／dt）可控硅是由三个P—N结组成的。每个结相当于一个电容器。

1、通过控制可控硅导通角的角度来控制可控硅中电流通过的大小，所以，额定8000A/30V的整流电源，可以输出从0A-8000A的电流和0V-30V的电压。其值可以根据需要所定。

2、硅整流充电机采用高频电源技术与进口元器件相结合，运用先进的智能动态调整充电技术，它采用恒流、脉充、浮充智能三个阶段。

3、硅整流克服了蓄电池组的严重缺点，采用浮充电方式保证了直流负荷用电的可靠性。

承受600v的短路这个话怎么理解？用可控硅直接短路600V？如果是交流强电的话必须一定很快就坏掉的，瞬间的弱电信号也许没事。

会。过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的。

给G极信号发射的时候会不会电容的电倒灌到电池里电池炸了。

TPS16可以承受70A的电流如图示电感内阻和电感阻碍电流的作用，承受5个1000uF的电容放电没问题。

感性负载在断电的瞬间，反峰值电压可以达到额定电压的几倍，可以造成吸电路收阻容元件击穿。

1、你说的是硅模块，一个模块两个硅。GK间阻值应该是相差不多。但整流回路的损坏，很难导致电机的损坏。可以问一下电机的厂家，确认一下电机故障的原因。

2、过压击穿过电流阻容吸收电路失效过温你可以从上述几个方面检查处理，应该能找到问题。

3、我厂也是一台630V，1500KW直流电机。整流部分是用西门子6RA70直流调速装置扩容大功率可控硅，前期也出现烧硅、烧保险的问题，原因是硅触发出现问题，直接原因就是一个外围的测速光码盘存在失速状态。

4、西门子直流调速器6RA70报故障代码F040，检测电源电压是否正常，开机按P复位看是否可以消除，如果不能检测控制板或者更换。