三极管的电压放大电路的简单介绍

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1、三极管放大电路基本原理是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化。三极管是一种具有放大电流功能的半导体基础元件，它是电子器件的重要组成部分。

2、三极管放大电路的基本原理是利用三极管的特性来放大输入信号。三极管具有可控的导通性，当在其基极和源极之间施加一定的电压时，三极管就会导通。这种导通的程度可以通过控制三极管的控制极与基极之间的电压来调节。

3、三极管放大原理如下：因为基极空穴较少，所以发射极电子被集电极电场吸引进入集电极过程与基极空穴复合概率较小，当基极电流增大（空穴增多）时，因为电子与基极空穴复合概率较小。

4、放大原理发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。

三极管的电压放大电路的简单介绍

1、首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。

2、放大电路是利用具有放大特性的电子元件，如晶体三极管，三极管加上工作电压后，输入端的微小电流变化可以引起输出端较大电流的变化，输出端的变化要比输入端的变化大几倍到几百倍，这就是放大电路的基本原理。

3、如果偏置电压太小，将可能令放大小信号失真，如果电压太大将令三极管饱和或削峰。偏置电压是在B极加一偏置电阻获得。

4、电子三极管的电流放大原理因为其结构的直观形象，可以很自然得到解释。如图E所示，很容易理解，电子三极管Ib与Ic之间的固定比例关系，主要取决于电子管栅极(基极)的构造。当外部电路条件满足时，电子三极管工作在放大状态。

5、三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输进电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）。

6、集电极电阻在三极管放大电路中起着极重要的作用：为集电极提供合适的工作电压；保护三极管；把放大了的小信号电流转换成电压输出。

调整基极电阻R1的大小可以改变放大倍数。减小R1阻值增加基极电流可以增加集电极电流，同时减小集电极电阻R增加负载电阻R3能够增加一些电压放大倍数。选择三极管的β值高一些，可以提高放大倍数。加大输入信号，可以提高输出信号。

解决方法是，加一级放大，可是电路变复杂了，选用放大倍数在300以上的三极管，这大概不好找。最简单的方法是用复合管。14V电压，三极管饱和后电流稍大了点，可以把15欧电阻改为18欧的，电流在550mA左右。

最简单的方法：DD4改用锗管2AP9（或1N60），能增加1V。复杂的方法增加放大能力，例如用运放等等。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。内部条件：发射区掺杂浓度较高，基区很薄，集电区面积较大。集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。

三极管放大的条件是有合适的偏置，也就是说发射结正偏，集电结反偏，组成原则如下：保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。

三极管要实现放大作用需满足的条件：发射结正偏，集电结反偏。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三极管的静态电流：电路中三极管的静态电流要选取在β值较均匀的那一段。（这个就要参考使用的晶体管参数曲线）考虑前后级输入、输出阻抗的匹配。

三极管可以使电流放大或者电压放大。电流放大倍数β=ICE/IBE=(IC-ICBO)/(IBE-ICBO)≈IC/IB，电压放大倍数Au=Uo/Ui 。三极管的电流放大倍数又称三极管的电流分配系数，字母为希腊字母β。

答案应该是：A端输入的电流和电阻R2的乘积等于大于三极管的导通电压。即IA*R2≥Ube，注意，这里提到的Ube是三极管的导通时的基极和发射极之间的电压。

三极管可以放大电流或电压。电流放大倍数= Ice/ibe= (ic-icbo) / (ibe-icbo)ic/ib，电压放大倍数au=uo/ui。三极管的电流放大系数也叫三极管的电流分配系数，字母为希腊字母。

放大电路是利用具有放大特性的电子元件，如晶体三极管，三极管加上工作电压后，输入端的微小电流变化可以引起输出端较大电流的变化，输出端的变化要比输入端的变化大几倍到几百倍，这就是放大电路的基本原理。

分NPN、PNP两种情况：NPN：Ic+Ib=Ie，Ic=β.Ib PNP：Ie+Ib=Ic，Ic=β.Ib β为晶体管放大倍数。以上是之前的答案。答案是误，对于他人造成的误会，在此表示由衷的歉意。此外，也对给我提出不同意见的朋友表示感谢。

具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

1、更换增益更高的IC 。增加放大级数。采用带宽更大的IC，同时减小负反馈深度。减小前级输出阻抗，增大后级负载阻抗，两者可以单独或者同时进行。

2、首先要选工作电压范围大的运放，其次是增加比例电阻的比值以加大电路增益，如果前两个方法都受到限制，还可以选用满电源幅度输出的运放，这类运放在负载电流很轻时输出电压范围几乎和工作电源电压一致。

3、：换用B值高的三极管。2：电压增益约等于Rc/Re，增加Rc，减小Re，增加放大电压倍数（当然静态电压会要调整）。3：改变电路结构，如共发射级结构功率增益最大，共集电极没有电压增益。

4、运放的开环增益。反馈量。电压放大器是提高信号电压的装置。对弱信号，常用多级放大，级联方式分直接耦合、阻容耦合和变压器耦合，要求放大倍数高、频率响应平坦、失真小。