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制作光电器件的材料(做光电器件)

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半导体材料有什么特征?

半导体具有特性有:可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。

半导体的特征:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,如硅、锗、硒等,它们的电阻率通常在 之间。半导体之所以得到广泛应用,是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。

半导体的四个特性:电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。1833年,法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。

本征半导体的结构特点有共价键结构、具有禁带、电子数量等。共价键结构:本征半导体的原子之间通过共价键相互连接,形成晶体结构。共价键是由原子之间的电子互相共享形成的,这种键的强度比离子键弱,但比金属键强。

半导体材料的特性:半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电,室温时电阻率一般在10-5~107欧·米之间。

萘的物理常数

1、萘的物理常数与其分子结构有关。萘分子中碳碳键长约为0.154nm,碳氢键长约为0.108nm。由于萘分子中的碳原子数为10,因此它属于小分子有机化合物。萘的物理性质还与其晶体结构有关。

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3、熔点80.5℃,沸点219℃,闪点789℃,折射率58212(100℃)不溶于水,溶于乙醇和乙醚等 易挥发,易升华 溶于乙醇后,将其滴入水中,会出现白色浑浊。

4、萘的结构式如下:其分子结构数据:摩尔折射率:409。摩尔体积(cm/mol):125。等张比容(90.2K):311。表面张力(dyne/cm):40.2。介电常数(F/m):82。

5、中文名称 萘 英文名称 naphthalene;tar camphor 分子式 C10H8 结构 所有C原子均以sp2杂化轨道形成σ键。CAS登录号 91-20-3 国标编号 41511 分子量 1218 基本性质 [编辑本段]性状 光亮的片状晶体,具有特殊气味。

6、年10月27日,世界卫生组织国际癌症研究机构公布的致癌物清单初步整理参考,萘在2B类致癌物清单中。物理性质 密度162。

半导体有什么特性?

1、热敏特性 半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗,湿度每升高10度,它的电阻率就要减小到原来的1/2。温度的细微变化,能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。

2、半导体的特性包括热敏性、光敏性、掺杂性、能带结构、载流子传输。热敏性 半导体的热敏性是指其导电性能随温度的变化而变化的特性。

3、半导体的四个特性:电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。1833年,法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。

4、半导体五大特性∶电阻率特性,导电特性,光电特性,负的电阻率温度特性,整流特性。 ★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。

铌酸锂单光电材料昙那年发明的

1、这一新技术,突破了传统飞秒激光的光衍射极限,把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸,从传统的1微米量级,首次缩小到纳米级,达到30纳米,大大提高了加工精度。

2、在激光晶体材料方面:华北光电技术研究所研制的Nd:YAG晶坯性能指标达到国际先进水平。华博技术有限公司的YAG激光棒年批量生产能力为3000根。中国已成为矾酸钇(YVO4)晶体的生产出口大国。

3、压电材料 它可分为压电单晶、压电多晶和有机压电材料。压电式传感器中用得最多的是属于压电多晶的各类压电陶瓷和压电单晶中的石英晶体。其他压电单晶还有适用于高温辐射环境的铌酸锂以及钽酸锂、镓酸锂、锗酸铋等。

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就是组成电子线路的零件。主要有:电阻、电容、电感、二极管、三极管、集成块、发光二极管、发射管、接收管、稳压管、齐纳管、双向二极管、单向二极管、可控硅、整流桥、变压器等。

晶体三极管:是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。场效应晶体管:简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

这类物质称为半导体。 电路的基本概念: 电路是电流通过的路径,它的三个基本组成部分是:电源、负载、连接导线等组成。 理想的电路元件R、L、C用来反映电阻效应、磁场效应、电场效应。实际电路元件可以用理想电路元件来模拟。