本文目录一览：
- 1、中频炉整流kp可控硅两端电压是多少
- 2、如果测试中频炉电柜里的可控硅是否正常?
- 3、中频电炉炉总是坏同一组可控硅是怎么回事
- 4、IGBT中频炉真的比可控硅中频炉节电吗?
- 5、中频电炉谐振电容拆掉几组会使可控硅坏掉吗?
- 6、中频炉为何老烧同一个可控硅?
中频炉整流kp可控硅两端电压是多少
触发电压是有要求的，导通前他要过两个PN结的电压，大概4-5V，触发电流20-40MA，一旦导通，触发脚只有0.2V左右了。可控硅是可控硅整流器的简称。
.05t~5t中频成套设备，电源进线电压380V，500KG以上的还可以是720V，出线电压就不一样了。还有炉体电压更大。
中频炉的电流和功率是有关的，直流电压*电流=功率。380V供电中频电压可以达到1000V以上但是因可控硅，电容器耐压受限，如果电容器的耐压是750V中频电压只能调到750V-850V。你可以去。
如果测试中频炉电柜里的可控硅是否正常?
中频炉 可控硅在反相关断时，承受反向电压的瞬时毛刺电压过高 在中频电源的主电路中，瞬时反相 毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。
你还可以测量任意两个引脚之间的正向和反向电阻。如果正反向电阻接近无穷大，则两个电极为阳极A和阴极K，另一个引脚为栅极G。
如果是正反向都是600多欧，说明可控硅已坏了，但在线测量往往会出现误差，特别是在通水情况下，所以最好是拆下测量。要注意是控制极与阴极之间电阻是很小的。
中频炉不能正常启动，而且出现不均压故障报警，这就说明逆变有可控硅坏了。解决办法：这个时候我们应使用万用表量2KΩ挡测量逆变硅，数值为零，则说明逆变硅已经被击穿，如果测量结果为不通则说明逆变硅正常。
正常情况下，当电压施加时，可控硅应该通过电流。如果测试结果显示电流通过，那么可控硅是好的。如果没有电流通过，那么可能说明可控硅损坏了。其次，可以使用示波器来测试CR406可控硅的好坏。
不亮说明是坏的。不触发也亮或者触发也不亮也是坏的，市场也有专业测试可控夺的表，可测出它导通性能是好或坏。工作异常用情况。中频电压低，除了可控硅外要切底查水冷电容是否漏电，漏油，容量变值等。
中频电炉炉总是坏同一组可控硅是怎么回事
1、中频电炉在长期的使用过程中，可能会在电容的冷却管里结水垢或者进水系统进入杂物堵塞而导致电热电容过热而烧坏。
2、中频炉功率升高烧硅的原因可能有以下几种：水冷套散热或内断水效果下降：有时候因为水质的问题，水冷套壁上会附着一层水垢。在这种情况下虽然出水量和压力是够的，但是因为水垢的导热性很差，所以散热效果会大大降低。
3、可能是你的可控硅性能指标偏低，而你的炉子频率高关断时刻电流偏大，可以增加RC缓冲电路保护，同时散热片与可控硅间填入导热硅脂并旋紧安装螺柱。
4、你好！整流硅坏分两种情况，一种是过热造成的，这要去检查整流硅堆上的散热器上的导热硅脂是否老化，压紧螺钉是否松动，这些都是造成散热效率降低的原因，还有散热片上的灰尘可能太多。
IGBT中频炉真的比可控硅中频炉节电吗?
1、在其它条件相同的条件下，IGBT电炉比可控硅电炉节电0.0976％，几乎可以忽略。如改变其它条件，IGBT电炉采用串联逆变，通过提高中频电压节电，那就是另外回事了。
2、IGBT中频炉设备可以参用三相桥式不控桥整流电路，和可控硅串联，并联逆变器不同。不控整流桥电路它的整流系数很高，谐波少，变压器利用率高。在“部份中频机比较实测时”比七十年代生产设备节能35%，实际证明是可行的~~~ 。
3、所以IGBT中频比普通可控硅中频节能；IGBT中频采用调频调功，整流部分采用全桥整流，电感和电容滤波，且一直工作在500V，所以IGBT中频产生高次谐波小，对电网产生污染工低。
4、稳定可控硅的技术水平已经很成熟了。IGBT的小功率的也没问题的啊。
5、中频炉的选择看你是要多少吨位的。一般选择是从两方面考虑，从电源考虑：一种是可控硅整流，逆变。六脉整流的功率因数低干扰大，耗电大。采用十二脉的会比较好。
中频电炉谐振电容拆掉几组会使可控硅坏掉吗?
1、中频电炉在长期的使用过程中，可能会在电容的冷却管里结水垢或者进水系统进入杂物堵塞而导致电热电容过热而烧坏。
2、如果可控硅开路多数是不够电压，短路会烧保险或跳闸。
3、电磁炉烧保险是内部整流桥或IGBT管击穿损坏引起，谐振电容烧爆可引起IGBT管击穿损坏 更换新件前必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。这样付出的代价就大了。
4、从电效率出发可以决定可控硅中频电源的输出频率。例如我们称这一频率为fo 。感应器实际上是一个电感线圈，而为要补偿线圈的无功功率，在线圈的两端并联电容，这就组成了LC 震荡回路。
中频炉为何老烧同一个可控硅?
1、动作。有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。该现 象经常会出现过电压、过电流同时动作。
2、中频炉功率升高烧硅的原因可能有以下几种：水冷套散热或内断水效果下降：有时候因为水质的问题，水冷套壁上会附着一层水垢。在这种情况下虽然出水量和压力是够的，但是因为水垢的导热性很差，所以散热效果会大大降低。
3、你已经检查了水路，换上新的kk硅送电开机用万用表测量每个可控硅两端的电压应该是相同的。如果不一样检查分压电阻，再用示波器检查触发脉冲波形，应该容易找到问题的。
4、可能是你的可控硅性能指标偏低，而你的炉子频率高关断时刻电流偏大，可以增加RC缓冲电路保护，同时散热片与可控硅间填入导热硅脂并旋紧安装螺柱。
5、你可以实测一下负载的工作电流，然后对比一下你所用的可控硅的参数，要留足够余量。
6、根据经验判断，可控硅烧坏和可控硅本身不是主要原因，可能是反馈的信号不准确导致的，也有可能是加速过快，要慢点加，分段加，保持一段时间再升，建议采用走时间程序。
