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可控硅的参数有哪些?
弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
可控硅元件的主要参数及意义如下：(1)正向阻断峰值电压(UDRM)。它等于正向转折电压减去100V。(2)反向阻断峰值电压(URRM)。它等于反向转折电压减去100V。(3)额定正向平均电流(IT)。
BT136是4A双向可控硅，可用任何4A以上可控硅代用，只要耐_达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。
BT1313及138参数一样：如图所示：600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110 ℃贮存温度。
常用的可控硅参数说明
1、- JST12X1000CW：额定电压为1000V，额定电流为12A，触发电压范围为0.8V到0V。- BCR8PM14L：额定电压为600V，额定电流为8A，最大耗散功率为5W。这些参数的不同可能会影响可控硅在不同应用中的性能表现。
2、反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的 VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT 一般为几微安到几十毫安。
3、BT136是4A双向可控硅，可用任何4A以上可控硅代用，只要耐_达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。
4、ct103可控硅的参数是VPFU、VPRU、IF、UF、IH、IG、Ug。正向阻断峰值电压（VPFU)：是指在控制极开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值，此电压规定为正向转折电压值的百分之80。
试述可控硅元件的主要参数及其定义
可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。
维持电压IH 在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。
BT1313及138参数一样：如图所示：600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110 ℃贮存温度。