可控硅功率因数（可控硅功率计算）

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不控整流电压和电流是同相的，cosφ=1。但是可控整流电压和电流的相位差取决于触发角α，cosα是一个小于等于1的值，所以可控整流的功率因数低一些。功率因数λ=ν*cosφ，ν是基波因数，cosφ是基波电流相移。

电加热器改双向可控硅控制后，电源的功率因数下降原因是采用三相两控过零点控制的方法，因为电流波动大，对变压器（2500KVA）影响较大，机身温度上升很快，电源的功率因数下降。

当整流电压的波形接近正弦波时，功率因数会接近1。而当整流电压波形具有谐波成分时，功率因数会降低。常见的可控硅三相整流电路采用的是半波或全波整流，其控制角变化范围一般为0到180度。

你说的是可控硅整流，用于调压，调速用，主要是因调压时是在全波上截取相应的波形一断。没有全部用上电的全波，那些是没有用的。功率因数就小了。

以逆变电路为例，虽然电压电流同时存在，但分析基波分量会发现其间是有相位差的。从本质上来说，是因为开关器件是非线性器件，所以导致了功率因数低得结果。

因为随着触发角变大，电流相对电压的相位就在向后移，这样无功功率就会增大，功率因数就会降低。

可控硅功率因数（可控硅功率计算）

1、多出的功率是无功功率，大小为 (4400^2-2200^2)^0.5=3810var；产生无功功率的原因是可控硅前电流波形与电压波形不一致而且滞后；如果可控硅后的负载功率因数小于1，则可控硅前的功率因数更低。

2、要想得到110V电压，负荷很轻或者没有负荷，你可以用两只56千欧功率1瓦的电阻，串联起来，接入220V交流电压，两只电阻的连接处和电阻另外两端的电压就是110V。

3、直接连接变压器。配置一个220V转110V的变压器。现在变压器设置半数变压参数进行变压。220v的电器表示其额定电压就是220v，其内部的原件只有在220v之下才能正常使用。

4、用半波整流绝对不行，电压有效值156V，不是110V。用1000W的变压器恐怕不大现实。可以参照调光台灯电路，选大电流的双向可控硅，调整到合适电压，再把可变电阻换成固定电阻。

5、可是可以，但这种接法干扰比较大，只能用在不是很精密的设备上。

6、实际功率等于电压的平方除以电阻。这里是同一个加热管电阻是固定不变的。电压为额定电压的二分之一，平方后则为四分之一，因此实际功率也为额定功率的四分之一，即2000W的四分之一为500W。望点一点采纳，谢谢了。

常见的可控硅三相整流电路采用的是半波或全波整流，其控制角变化范围一般为0到180度。为了提高功率因数，可以通过控制角的选择来使整流电压波形接近正弦波。

大致在0.8左右。另外给你一个表格，也许有用。

改成了三相三控，直流调压的方式，在输出电压高的情况下，功率因数能达到0.9以上，在输出电压低的时候功率因数就才0.7几了。可控硅 W2C－400VCa/0.400Vca，-200A，-V.F。

1、可控硅整流装置的功率因数等于1，因为整流以后是直流，直流电路的负载是纯电阻。

2、若已知电压U、负载视在功率S（三相电输出视在功率）和功率因数cosφ时，可以先求出负载的有功功率P，然后在求电流I。

3、低。这类整流电路结构简单，控制技术成熟，但交流侧输入功率因数低。晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。

4、你被错误的概念误导啦。整流器的功率因数低，主要不是相角的问题，是整流导致谐波产生，部分谐波的功率是无功功率，由于产生了无功功率，进而使功率因数降低。

5、解决方法：改成了三相三控，直流调压的方式，在输出电压高的情况下，功率因数能达到0.9以上，在输出电压低的时候功率因数就才0.7几了。可控硅 W2C－400VCa/0.400Vca，-200A，-V.F。