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- 1、可控硅上电瞬间会导通一下,为什么?接线如图所示!
- 2、可控硅上的电容和电阻是做什么用的
- 3、请大师,指点迷津。看看可控硅旁边那个电容和电阻起什么作用
- 4、双向可控硅触发电路中触发电容大小对电路的影响
可控硅上电瞬间会导通一下,为什么?接线如图所示!
个人经过实验，找到问题所在，应该是上电瞬间dv/dt过大导致的，即使把光耦去掉只留下可控硅也一样出问题。解决方案是，在220V输入并接一个0.47uf/300V的安规电容！容量小了不行，试过0.1uf还是会有问题。
把可控硅的触发极断开，上电后可控硅再导通，是可控硅坏了。上电后可控硅不导通，触发电路有故障。
不知道你是在什么情况下量的，如果没接入负载量的，应该属于正常的因为有RC通路。如果接入负载，而且负载正常运行，说明可控硅或者前级光电开关有损坏，你可以断开可控硅的控制极看负载是否运行来确定可控硅的好坏。
负载是什么？你说的导通只是表测跟零线有220V？还是负载已得电工作了？这不科学，即使是导通状态，下一个过零点到来后也会自动断开的，除非触发脉冲还有。或者可控硅已击穿。
断开光耦与IO口的连接，上电再测，如果问题没了，说明单片机IO口的初始化程序有问题。以 及单片机的电源问题 2，如果问题依旧，则是硬件问题。
可控硅上的电容和电阻是做什么用的
1、阻容吸收电路，作用是减小可控硅两端电压的变化率，防止误导通。可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。如果可控硅两端电压的变化率太大，就会产生误导通。
2、电阻和电容串联后与可控硅模块的并联，电阻和电容的作用就是为了抗干扰，对保护可控硅是没有作用的。
3、R18，R33 跟IC5组成可控硅触发电路，两个电阻起限流作用，保护光耦及可控硅。R2C7组成阻容吸收回路，可吸收瞬间的高电压，起到保护作用。你电路图画对了吗？一般不用直流光耦驱动的，都用交流输出的光耦驱动的。
4、双向晶闸管，阻容移相，用于调压。电容和电阻配合，改变导通角。
5、你说的电阻和电容，一般称为阻容吸收网络。一般在感性回路中，可控硅关断的瞬间，电感产生反电势，阻容网络提供续流回路，起到保护可控硅的作用。
6、C8R15 构成微分电路。可以把T1送来的脉冲信号（方波或是电位），转换为尖峰的短时脉为可控硅提供触发脉冲。
请大师,指点迷津。看看可控硅旁边那个电容和电阻起什么作用
1、为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
2、R18，R33 跟IC5组成可控硅触发电路，两个电阻起限流作用，保护光耦及可控硅。R2C7组成阻容吸收回路，可吸收瞬间的高电压，起到保护作用。你电路图画对了吗？一般不用直流光耦驱动的，都用交流输出的光耦驱动的。
3、你说的电阻和电容，一般称为阻容吸收网络。一般在感性回路中，可控硅关断的瞬间，电感产生反电势，阻容网络提供续流回路，起到保护可控硅的作用。
4、可控硅导通的电流是单方向电流，单方向（可以叫脉动直流）电流不可通过电容器。
5、双向晶闸管，阻容移相，用于调压。电容和电阻配合，改变导通角。
6、电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。
双向可控硅触发电路中触发电容大小对电路的影响
可控硅的结面积在阻断状态下相当于一个电容，若突然加一正向阳极电压， 便会有一个充电电流流过结面，该充电电流流经靠近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，如果这个电流过大，将会使元件误触发导通。
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
μ电容放电，过大的电流会损坏双向可控硅的。——★一定要使用该电路作试验，应该采取两个措施：①、限制电容的充电电压，可以在电容上并联6V的稳压二极管；②、限制触发电流。可以在触发回路串联电阻来实现。