可控硅压降（可控硅压降变大）

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1、V1100W，电流在5A，双向可控硅的压降在2V左右，也就是说在TO-220上的功耗在11W左右，肯定温度飙升。加大散热可以驱动。散热器的散热面积至少是to-220的20倍，自然冷却。

2、BT138是双向可控硅，在两旁供给一点的电流（不管电流方向）左边和之间两个引脚就导通了（有一定的压降）。可控硅BT137 600E可以代替BT136 600E。品名 = 8A四象限双向可控硅(TRIACs)。型号 = BT137-600E。

3、双向可控硅用在交流电路中时，门极的触发电压是正负都可以的，但要求达到一定的数值才能触发的。导通是从触发的一刻开始到半周结束。如果门极加的是直流触发电压，则可控硅会一直保持导通状态，直到触发电压消失。

可控硅压降（可控硅压降变大）

1、单相可控硅一般都是用触发脉冲触发的，导通后内部电流从阳极流到阴极P-N-P-N，从阳极到触发极到阴极，可见到触发极的电压比阳极电压低二个PN极，再经一个PN极到阴极，可控硅导通压降在2V左右。

2、你说的电压相等，以哪里为基准点，如果以电源负极为基准，那么你测控制级和阴极与阳极他们两端的电压一定相等，因为控制级与阳极之间的直流电阻值就是几十欧罢了，所以他们两端的电压就是相等。

3、双向管和单向管一样，也是必须阳极、门极都必须满足电压和电流要求才能导通，注意这里多了一个“电流”要求。只不过双向管的阳极和门极电压极性可以是正负两种情况，还需要注意有些双向管是三象限型号，对于极性配合有要求。

4、可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

5、MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。

6、可控硅导条，阳极高于阴电位1一1．5V，电流大于维持电流。控制极电位高于1V，电流大于触发电流。控制极低于阴极无法导通。

1、变频器分电压等级的，－4的你输不进去690的。输出频率和电压在50hz一下成正比，但是频率可以调到几百，大于50后，它的输出电压是不会高于电机的额定电压的，大于50时，电压就等于额定的，但是电机的转距变小了。

2、MCR100-6主要参数如右It(rms)：0.8A，Vdrm：400V。最大控制电压是400V(直流)，10V当然无问题，好的管子可控制到接近0V。

3、虽然图1电路能够工作在72V瞬态电压，但有些应用需要更高的保护。因此，如何提高OVP器件的最大输入电压是一件有意义的事情。图2所示电路增加了一个电阻和齐纳二极管，用来对IN的电压进行箝位。

4、大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能，并没有实现可控，而一旦把二极管换做可控硅，便构成了一个可控整流电路。

5、但是可控硅并联的效果和可靠性不太好，因为它们的参数一致性不太理想。可控硅的电流已经做到很大，耐压只是指它能耐受的电压，不是说它在低压下效果就不好。建议不要并联，直接用大功率的。

一般情况下，双向可控硅的导通压降在几百毫伏到5伏之间。具体数值还需要根据具体的型号和规格进行确认。

.5V。可控硅晶闸管是一种半导体电子器件，常用于控制高功率交流电的整流和开关，当电流流过可控硅晶闸管时，会出现一定的压降，在0.5V左右。

单相可控硅一般都是用触发脉冲触发的，导通后内部电流从阳极流到阴极P-N-P-N，从阳极到触发极到阴极，可见到触发极的电压比阳极电压低二个PN极，再经一个PN极到阴极，可控硅导通压降在2V左右。

1、嗯，这个软启动开关显示可控硅过热的话应该是现在他的处理已经超载了这个时候的话，我们就应该关注关注这个系统。

2、可控硅需要适当的散热来保持正常工作温度，电除尘设备中的散热设计不良或散热系统出现问题，可控硅可能无法有效散热。

3、电位器前面有没有串电阻啊？若没串电阻，当电位器电阻调小，当小到只有几十欧姆的时候，给电容充电时，不冒烟才怪。

4、散热片通常是与可控硅的某一脚直通的，连接的往往是强电，所以处理不好容易造成短路。另外，就算散热片下的电路板的铜箔上面有绿油覆盖，也是不符合规范的，因为绿油不能算是有效的绝缘。