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光电效应及普朗克常量的测量实验现象
1、用光电效应方法测量普朗克常量；测定光电管的光电特性曲线。
2、光电效应与普朗克常量的测量实验。实验中，用光阑的大小来模拟光强的大小，本来就是一种粗略的手段，真正的光强应该用光功率计之类的测量，而且光源也要用标准光源。对于你所用的仪器汞灯光源来说，其发光的均匀度也不尽理想。
3、实验原理是光电效应是指一定频率的光照射在金属表面上时，会有电子从金属表面溢出的现象。实验目的是了解光电效应的规律，加深对光的量子性的理解还有就是测量曹朗克常数。
激光器电流和电压的关系
mW/mA。激光器的两个主要参数：阈值电流I th 和斜效率Se 是温度的函数，且具有离散性。
电流（A）可以通过以下公式计算：功率（千瓦）=电流（安培）x电压（伏特）。
功率p=ui（p为功率，u为电压，i为电流），所以3000=380*i，i=3000/380=894736842。
在电流值很小时，激光器输出功率基本没有，并且增加电流，仍然没有输出；当电流增大到某一个值a是，输出开始出现，并且随着电流增大，功率近似线性增大；这个a就称为阈值电流。
如何检测二极管的类型
1、二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
2、硅二极管（Silicon Diode）： 硅二极管是最常见的二极管类型之一，其中PN结由硅材料构成。硅二极管具有较高的工作温度范围和较低的反向饱和电流。锗二极管（Germanium Diode）： 锗二极管是早期常用的二极管类型，PN结由锗材料构成。
3、没有专业的设备是无法检测，可以大致辨别二极管的方法。二极管以下形状：1．极管型号一般都在上面用字母或数字直接表示。2．2CW51稳定管的Vzmin和Vzmax分别为3．0v和3．6v。
4、二极管的类型，可以通过万用表的二极管档进行检测。测量出来的读值分为0.1到0.3V和0.5到0.7V。两种情况，0.1到0.3V可以确定他是锗型半导体。
5、观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。
太阳能电池量子效率测试系统的校准
1、★外量子效率(External Quantum Efficiency， EQE)，太阳能电池的电荷载流子数目与外部入射到太阳能电池表面的一定能量的光子数目之比。
2、量子效率测试系统用来测量特定波长的入射光子数转化光电子的比例，用以表征材料对不同波长光子的光电转化效率。
3、可以修正，具体可按照以下标准进行校正：GB/T 6494-1996晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 下图中的脚标为1的表示实测的数据值，而脚标2的代表想得到的数据，比如你所要的标准状态（T2=25℃）。
4、将测试电路状态改为短路，使用万用表测量太阳能电池的短路电流。使用电阻档位表测量太阳能电池在最大功率点时的电阻值。计算太阳能电池的填充因子以及转换效率。
半导体材料的应用及发展趋势
1、半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。
2、半导体材料在电子通信、光电通信、能源领域、生物医学等领域中都有着广泛的应用。因此，半导体材料专业的毕业生在这些领域中有着广阔的就业前景。其次，随着国内半导体产业的发展和壮大，对于半导体材料专业的人才需求也越来越高。
3、镓在半导体应用及其未来发展在电子器件、光电子器件、太阳能电池等领域。
4、新升半导体是一种新型的半导体材料，它具有高性能、低成本和低功耗的优势，可以用于构建更高效的电子设备。
5、SiC需求将会增长，GaN应用场景将进一步拓展；在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。
