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三极管在饱和状态时为什么集电极压降只有0.3v
深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。
三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。
你测出的电压是对的，如果电流不是非常大，对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右。
其次才落在晶体管集电极与发射极上。由于Ic或Rc比较大，Rc压降比较大，结果晶体管集电极与发射极压降很小了，就是晶体管饱和。饱和时Uce不应总是0.3V。小功率管也可能是0.1V，大功率管还可能是1V。
若集电极电平不够低，未达到三极管饱和压降，则集电极电流会继续增加，直至进入饱和状态。由于三极管饱和压降只有0.3V左右，因此集电极输出的就是一个低电平了。
由于集电结加反向电压，有利于少子的漂移运动，所以基区中扩散到集电结边缘的电子－少子，在电场力作用下，几乎全部漂移过集电结，到达集电区，形成集电极电流icn。
为什么三极管的深度饱和电压降是0.2伏
你在b极给了高电压，bc两端导通了，导致ce两端也导通了，Vce导通时压降是固定的，硅管的压降是0.7V。
三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。
三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。
深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。
三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7v左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2v、2a的字样，意为2a电流时的饱和压降为2v。
icbo 。icbo的数值很小，一般可忽略。但由于icbo是由少子形成的电流，称为集电结反向饱和电流，方向与 一致，该电流与外加电压关系不大，但受温度影响很大，易使管子工作不稳定，所以在制造管子时应设法减少 。
一道模电题,关于三极管的饱和压降的。
1、答案是A，发射区就可以看做一个二极管，箭头朝里的是锗管，朝外是硅管，锗管饱和导通的压降是0.5伏，硅管0.7伏。因此只有A管导通，B管电压反向，截止。C管0.3V，小于0.5，故没有导通。书中答案是C，真够让人迷惑。
2、因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。
3、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
4、不是，CE极电压在0.3或者0.3V以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了。所以叫饱和电压。
5、因此三极管集电极电流可达到（先不考虑集电极电阻的影响）Ic=βIb=9mA。由已知，集电极电流为（12V - 0.3V）/3kΩ≈4mA时，三极管就会饱和。而9mA4mA，可知三极管必然处于饱和状态。注：硅管的饱和压降约0.3V。
6、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
三极管的饱和管压降指的是
饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
饱和管压降是uce，饱和状态时uce小于ube。
饱和时管压降是指三极管饱和状态下的VCE的电压，通常为零点几V，大功率的为2~3V。饱和管压降：三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降。最大管压降：三极管VCE所能承受的电压。
