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无功补偿可控硅经常爆炸怎么回事?
跟CT质量和线路负载有着一定的关系，如果补偿装置安装线路上没有高耗能等冶金之类的企业，基本排除系统问题，很有可能是CT质量问题。
主要是由于电容柜设计不合理，没有选择合理的电抗器或者选择电抗器不合理，不能有效滤除谐波或抑制谐波，或者导致谐波放大造成震荡，进而导致电容器频繁爆掉。有时候接触器或者复合开关、可控硅等器件也会频繁烧毁或爆炸。
无功补偿电容器内部元件击穿，主要由于生产工艺不良引起，过电压引起。
通常应该是瞬间停电后，没等电容放电又重新起动而造成的.因为补偿电容器一般容量大的，放电时间较长。
我认为最大的可能是谐波问题和可控硅产品本身都耐压值问题。因为可控硅是无触点投切开关，本身对电压要求就比较高，其次可控硅本身也是一个谐波源，同时 电焊机会产生大量的3次谐波。最好是找一个专业的厂家去测量。
即使电流大了，只能把外壳化了，也不可能发生爆炸，更何匡为不使电流超出可控硅的额定值，在电路上采取了很多措施，在外部还采取了风冷与水冷等措施，使可控硅的温升不大於标准。还没有可控硅爆炸的报道。
可控硅模块在空载时就炸了!和可控硅那些参数有关?
主要是反向耐压不够高，阴阳极造成的击穿短路，引起的。
反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。
维持电压IH 在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
中频炉老烧KK可控硅是什么原因?
中频炉功率升高烧硅的原因可能有以下几种：水冷套散热或内断水效果下降：有时候因为水质的问题，水冷套壁上会附着一层水垢。在这种情况下虽然出水量和压力是够的，但是因为水垢的导热性很差，所以散热效果会大大降低。
中频炉电源里的一个可控硅老是被烧坏原因：中频炉 逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降 更换水冷套。
中频电炉在长期的使用过程中，可能会在电容的冷却管里结水垢或者进水系统进入杂物堵塞而导致电热电容过热而烧坏。
中频输出电流过高，KK损坏大多是因为过电流，可以调整控制板来限制输出电流。更换KK后，水冷套和KK之间没有完全压实。由于KK的通过电流较大，如果没有良好的散热很快就会因为局部高温而击穿。