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可控硅与M0S型场效应管比较哪个开关速度更高?
1、作为开关时，MOS管的开关速度要高于可控硅。应用不同：可控硅调光适用于交流电源驱动的灯具，如白炽灯、氙气灯和荧光灯等；MOS管调光主要适用于直流电源驱动的灯具，如LED灯。
2、当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易，但是不能自行关断；IGBT常用于大功率设备，需要专门的驱动，所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。
3、MOSFET是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。
4、区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0，然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。
5、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
可控硅电压上升率开通速度过快会怎么样
1、因为器件的导通或关断需要一定时间，同时阳极电压上升速度太快时，会使元件误导通；阳极电流上升速度太快时，会烧毁元件。人们在制造工艺和结构上采取了一些改进措施，做出了能适应于高频应用的可控硅，我们将它称为快速可控硅。
2、芯片电源上升过快会烧芯片。因为芯片内部电路需要一定的时间来响应电源电压的变化，如果电源电压上升过快，芯片内部的电路无法及时响应，导致电路产生错误或损坏。
3、若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。
4、-3 倍。外加电压超过反向击穿电压会造成元件永久损坏，若超过正向转折电压。元件就会误导通，可控硅参数符号说明经过数次这样的导通，元件也会损坏。
5、如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
6、首先注意，是上升率，真真正正的上升！电压增加时，才能向可控硅的结电容充电，有电进来，才会被触发，电压升势过猛，则结电容的充电电流就会很大，甚至远大于触发所需，纵然离正向转折电压尚远，也会被触通。
可控硅可以做成每秒开关4-8次的电源吗
用可控硅作为直流开关不行，因为一旦导通之后，通过可控硅的电压永远是大于零，永远为正向，即使触发电压撤掉或者变为负值也不能使可控硅截止。可控硅可以控制交流电，因为交流电有过零、变负值的过程。
解可控硅就是一个开关，控制电压和电流，初级：一次侧，即电源输入侧，一般指高压侧；次级：二次侧，即电源输出侧，一般指低压侧。
现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。
驱动电路用8只三极管组成8路射随器作缓冲放大，去触发作电流开关的8只双向可控硅，以控制彩灯 发光。电路的十5V电源由220V／9V变压器降压，经D1一D4桥式整流，7805稳压后给控制电路供电。