本文目录一览：
- 1、在分析三极管模型时,如下图,为什么会有IR?IR=-IE??谢谢
- 2、ir2153可以驱动三极管吗
- 3、哪些型号是用来制作场效应三极管的?
- 4、三极管的参数是哪些?
- 5、压控恒流源基本电路计算,三极管的问题,看图片,为什么IR=IRL,,就是电流...
- 6、为什么温度升高时三极管的输入特性曲线会左移,而不是右移?
在分析三极管模型时,如下图,为什么会有IR?IR=-IE??谢谢
RL和R是在一条之路上串联的了，根据串联电路的特性串联电路上的负载的电流相等可的她们两个的电流是相等的，同时运算放大器的虚断的特性，在电流反馈端U-是不需要电流的，所以IR和IRL是相等的了。
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
比如公式V=IR，就是在规定进入元件端子的电流方向和端子间的电压降的方向一致的情况下写出的。（按电流的流向看过去，在元件间电压是由正到负）；如果进入元件端子的电流方向和端子间的电压升的方向一致。
由于三极管放大倍数足够大，所以在此图中暂时将三极管视为导通处理，且Ic=Ie。
Ie——瞬时电磁脱扣器动作电流额定值，为脱扣器额定电流In的倍数，倍数固定或 可调，如Ie=5～11×In。对不可调式可在其中选择一适当的整定值。通常来讲瞬时动作值为长延时的10倍。
ir2153可以驱动三极管吗
1、但是，频率最低不能低于LC回路的谐振特征频率。
2、一般三极管短路就会殃及B E极的电阻，但是偶尔有三极管开路的，电阻就不会损坏，换一个三极管就可以了。
3、直接驱动不行的，我以前做BUCK电路用的是三极管驱动电路，性能很好。前一级电压放大，后一级推挽式输出电流放大，有很大的驱动能力，速度也跟得上，Vc、VGS、VDS三者可以相同，具体看情况取值，三极管可选SS8050和SS8550。
4、比较器的输出可以直接驱动三极管。但为了保护三极管，不至于基极过大，一般在基极串联一个1K以上的电阻（限流）。
5、自己玩的话，不用三极管就可以了。段直接接P0口，同进P0口接上拉电阻510~620。省去三极管，简单多了。
哪些型号是用来制作场效应三极管的?
场效应管4102STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效1653应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
A对于一般的增强型MOSFET场效应管来说，简直是小菜一碟，轻轻松松就可以上到这个水平，反倒是小功率场效应管很难买，因为用的人实在太少。2N60，4N60可以在你要的12V1A、12V2A的电路上使用。
例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。
jcs8n60f是MOS8n60型号的三极管，jcs8n60f属于MOS8n60型号的三极管，MOS8n60型号场效应管即金属氧化物半导体型场效应管，属于绝缘栅型，主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。
三极管型号有千种，常用分普通三极管和场效应三极管两大类。在详细分类若干型号，需要查看厚厚的晶体管手册大全。
三极管的参数是哪些?
三极管的主要参数：特征频率：当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。
三极管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数、特征频率。直流参数集电极基极反向电流I。当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时，集电结中的漏电流就称I.值越小表明晶体管的热稳定性越好。
三极管的主要参数：电流放大系数β、集电极/发射极击穿电压和工作频率。电流放大系数β电流放大系数β，它描述的是三极管对电流信号放大能力的大小。β值越高，对小信号的放大能力越强，反之亦然。
三极管最基本的参数是 电流放大系数 (1)直流电流放大系数β β=Ic/Ib (2)直流电流放大系数β β=Δ Ic/ΔIb 极限参数 （1）最大允许电流Icm：指三极管集电极电流不超过允许值最大允许值。
压控恒流源基本电路计算,三极管的问题,看图片,为什么IR=IRL,,就是电流...
LR=IRL+Ib Ib很小远小IRL，所以被忽略，IR约等IRL。
VRL表示负载RL上端的电压；B表示三极管的放大倍数。
在电路中A极接正电压，K极接可调电阻RK，G极接RK的另一端。
你说的那个支路构成了负反馈电路，由于运放的存在，R4两端的电压被固定（与R2的电压保持一样），I=U/R，既然U不变，R4增大支路1的电流就必然减小了。
I = Vbe/R1，这个“Vbe”是指下面那个三极管的基极——发射极电压，“I“是R1电流。R2的取值跟电源Vcc有关，电源越大，输出电流不变，则R2取越大，电源不变，想输出带负载能力强，则R2可以取小一些。
该电路主要原理，是利用R1的电流—电压变换，输入到反馈三极管Q2，通过Q2反相放大，并利用R2将反相电流变换为反馈的电压，作用到Q1，从而抑制Q1电流漂移。
为什么温度升高时三极管的输入特性曲线会左移,而不是右移?
温度变化的规律与晶体管正向导通电压一样，所以输入特性曲线随温度升高向左移。
温度升高时 三极管的共射输入特性曲线会向右移动，输出特性之间的间隔会变大，因为三极管随温度升高的Vbe会减小，电流放大系数β会增加。
温度升高后，三极管的导通电压UBe会减小，随之而来的就是整条输入曲线左移，iB也会随之增大。在计算静态工作点时候可以明显看出来。
R4的真正作用是负反馈电阻。即使Ib不变，温度上升时，三极管因温度特性Ic也会增加；如果此时没有R4，那么通过R2的电流就会随温度的升高而增大，有了R4，就会抑制减弱这个趋势。