br三极管的简单介绍

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你所有谓的BR HF 这两种料，你抄过来时是按左右两个字组起来的BR HF 还是按上下两个字组起来的BR HF 因为ROHM厂家的丝印是在IC上面的四个左右上下四个角分别各印一个字的。

SC1815是日本东芝的晶体管，适用于音频通用放大和驱动级放大。丝印BR和HF是不是产地代号，但我知道都有反映放大倍数的丝印：hFE 分类 O：70~140，Y：120~240，GR：200~400，BL：350~700。

用数字表测量三极管：首先用二极管档反复测量三个脚，找到其中一只脚与其他两脚都有数字(500~700左右)显示时，那么这只脚就是三极管的基极。

比三极管小点六个管脚上面写着MA 是MBT3904DW1T1。里面是二个独立的三极管。

个三极管组成振荡开关电路工作原理为：当电源刚刚接通时，300伏直流电压经R1，R2，C2构成回路，C2两端没有电压，三极管Q2截止。Q1也截止。

哪有这信号的三极管啊。你说的是丝印 PO9O3BR 吗？不好判断的，你还是把三极管照个图发上来我帮你看看吧。

1、发射极（Emitter）是三极管的输入端，负责提供电子流。发射极的电阻值相对较低，一般在几欧姆到几十欧姆之间。

2、你是要知道三极管的基极偏置电阻还是它的内部阻值？我都解释下，偏置电阻Rb=(Ube-0.7v)/Ib，Ib*β=Ic，Ic=(Uc-0.7)/Rc。

3、首先确定你用的电源电压，比如15v，还有想要的集电极工作电流的范围，比如是0到10ma，这时候就可以确定集电极电阻和发射极电阻的总值了，即是：15v/10ma=1500欧姆。确定了总值，然后就是确定两个电阻分别是多少了。

4、三极管EM2模型中，基极内部等效电阻，是100欧左右，具体值在三极管的器件手册中会给出。

5、这个电阻是为了提高可靠性的泄流电阻。原则上，当前及三极管的漏电流流过该电阻时，在其上产生的压降要小于三极管基涉极的导通电压。

三极管的文字符号国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用VT或V表示。半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是控制电流的半导体装置。晶体三极管是半导体的基本部件之一，也是电子电路的中心元件。

三极管的文字符号国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用VT或V表示。电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)，低噪声管9014(NPN)，高频小功率管9018(NPN)等。

三极管符号是什么三极管的文字符号国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用VT或V表示。此外三极管参数中文字符号英文对照：Pcm集电极最大耗散功率。Icm集电极最大允许电流。

三极管符号（Q）：用字母“Q”表示三极管。稳压管符号（Z）：用字母“Z”表示稳压管。开关电源符号（SMPS）：用字母“SMPS”表示开关电源。变压器符号（T）：用字母“T”表示变压器。

国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用VT或V表示。三极管（英语：Triode）是一个有放大器功能的真空管，在真空的玻璃外壳内有三个电极：包括一个加热的灯丝（或称阴极）、控制栅格及金属平板（阳极）。

三极管在电路中的符号如下图：三极管是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。

三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。

) V(BR)CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。

β=Δ Ic/ΔIb 极限参数（1）最大允许电流Icm：指三极管集电极电流不超过允许值最大允许值。（2）最大允许功率损耗Pcm：表示集电极允许损耗功率的最大值。三极管的反向击穿电压（1）集电极的反向击穿电压。

极限工作电压就是超过该电压三极管会被击穿损坏，加在集电极和发射极之间的电压Uce必须在极限工作电压以内，且要满足Uce*IcPcm(集电极最大耗散功率)，否则三极管会发烫烧坏。

1、) V(BR)CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。

2、加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。

3、V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。

4、Iceo；三极管穿透电流（也称漏电流）。Iceq；三极管静态工作电流。Uceo；集电极-发射极反向击穿电压（俗称耐压）。Uceq；集电极-发射极静态电压。

5、还有一种击穿是流过集电结的电流过大，引起集电结发热，该反向击穿电压随温度升高耐压降低，形成工作过程中的击穿，这种通常称为热击穿。问题二：NPN三极管击穿是什么原因 1\接线错误导致反压超过PN结耐压值。

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