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求教双向可控硅(晶闸管)发热问题
加大散热可以驱动。散热器的散热面积至少是to-220的20倍，自然冷却。可以使用一个显卡上的带金属板小风扇，将你的晶闸管直接安装在金属板上，风冷散热。建议使用26A的晶闸管，也是TO-220封装，价格差异很小。
可控硅坏的原因如下：可控硅本身质量问题。可控硅过热击穿。可控硅过压击穿。可控硅过流击穿。电饭煲双向晶闸管坏了，一般是第一点和第二点情况。
铺铜，铜上再露网格状铜，网格的线条弄宽一些，譬如2mm，露铜的地方再上锡，这样的散热效果就会好些了。烤盘的功率怎么也有上千瓦吧，可控硅要选电流更大一点的。
符合欧姆定律的。——★加热丝工作时电流突然变大，烧坏，这是双向可控硅输出的电源突然升高所致：触发电路发生了失控。——★检查、维修控制电路（特别是触发电路），即可排除故障。
ASEMI双向可控硅BTA12A应用在哪些地方?-CleerBT
1、MBR20200FCT肖特基二极管常用于IC，也广泛用于高速计算机。MBR20200FCT主要用于变频器、开关电源、模块电源、驱动电路等，用作整流二极管、保护二极管、续流二极管等，在微波通信电路中用作整流二极管和小信号检波二极管。
2、GBU810-ASEMI整流桥堆应用领域包括但不限于以下几种情况：开关电源：在开关电源中，整流桥堆可以用来将交流电转换为直流电，为电子设备提供稳定的电力供应。
3、TW8825-LA1-CR其图像视频处理能力包括任意缩放、全景缩放、图像镜像、图像调整和增强、黑白拉伸等。在输入端，它支持CVBS、S-视频、分量视频、模拟RGB以及数字YCbCr/RGB输入的丰富组合。
4、光耦LTV-152的特性 高隔离电压：光耦LTV-152具有高达5000Vrms的隔离电压，可以有效地防止电路之间的电气干扰和电磁干扰。 低功耗：由于采用了先进的光电技术，光耦LTV-152的功耗非常低，适合用于功耗敏感的应用。
5、MDQ100-16是电源用单相整流器，用于直流电机现场电源的整流器、电池充电器整流器、变频驱动器的输入整流器等。
双向可控硅触发电压多少伏
1、该可控硅触发电压是5伏。双向可控硅DB3导通以后电压急速下降（伏安特性曲线决定的）不会击穿可控硅。双向可控硅调压直流双路电源电路，元件参数：整流桥500伏2安，保险丝1安培。
2、这两个双向可控硅的耐压都是600V，最大电流分别是16A。触发电压一般在2V以下，触发电流一般在5-30mA比较多。不是型号相同触发电流就一样的。触发电压和触发电流大了不要紧的，开关速度会加快。
3、到5伏。根据查询双向可控硅相关信息显示，电瓶车充电器控制双向可控硅的是3到5伏电压。
4、一般这类可控硅触发电压在10V触发电流2A左右，由于触发脉宽很窄所以感觉触发电流很小。为了可靠触发一般都是使用电容器放电形式触发，通常电容器的充电电压在18V以上才可以保证充电饱满。
5、可控硅的触发电压一般为1~2V吧，具体的参数可以查手册。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
可控模块硅导通压降有多大
1、一般情况下，双向可控硅的导通压降在几百毫伏到5伏之间。具体数值还需要根据具体的型号和规格进行确认。
2、单相可控硅一般都是用触发脉冲触发的，导通后内部电流从阳极流到阴极P-N-P-N，从阳极到触发极到阴极，可见到触发极的电压比阳极电压低二个PN极，再经一个PN极到阴极，可控硅导通压降在2V左右。
3、.5V。可控硅晶闸管是一种半导体电子器件，常用于控制高功率交流电的整流和开关，当电流流过可控硅晶闸管时，会出现一定的压降，在0.5V左右。
4、可控硅是一种半导体器件，用于控制电路中的电流。在正常工作情况下，可控硅的阴阳极压降应该在0.5V左右。如果阴阳极压降小于0.5V，可能会导致控制电路失效，而如果阴阳极压降过大，可能会导致可控硅的损坏。
5、最大正向平均电压降：2V 维持电流：＜20mA 控制极触发电流：＜20mA 控制极触发电压：＜5V 控制极不触发电压：＞0.3V 控制极不触发电流：＞0.4mA 没有脉冲波，用直流同样可以触发可控硅，只要触发电流大于指标值。
6、可控硅工作时只有两个状态：截止——导通。截止时电阻为无穷大。导通时的正向压降为0.7——5V，不用阻值计算。控制输出电流使用导通角计算。