过零可控硅光耦（可控硅过零触发电路原理）

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MOC3041是过零检测双向可控硅输出光电耦合器，参数为：通态电流100ma，触发电流15ma，峰值电压400V，浪涌电流1A Vtm3v，Itm100ma ，隔离电压5KV。

过零检测的目的是为了减小对电网的干扰。MOC3021是即时触发的，不带过零检测，使用这种光耦触发可控硅，在开启的瞬间，电流冲击会在电网上形成一个负跳变，幅度由电流的大小决定。这种跳变多了，电网自然就不干净了。

MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流，驱动BTA16是没有任何问题的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。

第二。你触发一次，只能保证交流接通半个周期，至交流电压再次过零的时候会关断。所以你必须施加恒定的触发信号或者保证每10毫秒同步地触发MOC3041。---也就是说，这个MOC3041，不具备像寄存器或者D触发器那样的保持功能。

moc3041 和一般光耦不一样，因为其输出可以直接触发可控硅。光耦内的发光二极管点亮後由内部右边的检测器检测到，後输出触发可控硅的信号。

首先，这种用MOC3083光耦加双向可控硅控制交流负载的电路，网上到处都是，MOC3083的技术资料上就有的，没有什么可保密的。既然来提问，还要防着别人，这也太不诚心了吧。

1、等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件：一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

2、不含过零检测功能的电路是无法控制可控硅，实现过零通断的。

3、双向可控硅导通后，要想关断有两种方法，两端电压低于阻断电压（你的不可能）电压翻转（不可能），你的电路想法挺简单但不可行，要想实现必须有控制移相网络，使其导通角为0，也就实现了关断。

4、——★“过零检测的电路有变压器，是在很不方便” ...是的，使用变压器是为了消除过零检测输入电路与双向可控硅之间的电联系，直接甩掉变压器也是可行的，例如使用光耦合器，但电路相对复杂一些。

5、是比较常用的半导体器件之一。可控硅的关断的条件是：使主端子间的正向电流小于维持电流。可控硅的关断方法有：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压。利用储能电路强迫关断。

6、可控硅有阳极、阴极和触发极，主要关断方式是电流过零自然关断，也有通过其他辅助电路使可控硅强行关断的，如饿死阳流法、电流转移法、反向脉冲法等。

1、MOC3081是带过零触发的可控硅驱动光耦，这个带过零触发的意思一定要搞明白。MOC3081只能控制可控硅打开，不能控制关断。可控硅触发导通后，是靠过零关断的。通常市电交流电是50Hz的正弦波。

2、可控硅靠电流过零而关断（除可关断可控硅外）。双向可控硅触发导通后，电源电压过零时，可控硅关断。当有外加电压前提下，再触发，可控硅就再次导通。

3、如果需要快速通断，那么可控硅也是不能直接使用的。交流电和脉动直流除外。在直流电路中，可控硅一旦开启就无法关闭。除非外部电压消失。当然，现在已经有可控制关断的可控硅。但是对价格不清楚。24V3A电路的总功率是72W。

4、可以通过单片机的方波脉冲控制可控硅导通角从而控制电流大小。

5、必须过零检测，可控硅导通以后就不受控制了，关断条件是电流小于最小维持电流。对灯泡来讲也就是过零时刻。

1、过零检测的目的是为了减小对电网的干扰。MOC3021是即时触发的，不带过零检测，使用这种光耦触发可控硅，在开启的瞬间，电流冲击会在电网上形成一个负跳变，幅度由电流的大小决定。这种跳变多了，电网自然就不干净了。

2、如MOC3041。因为可控硅属于非自关断器件。其触发导通后仍然保持导通（虽然触发信号已经消失），关断的条件是通过其电流接近于零。过零光耦，其内部含过零检测，当有输入时，只有发生过零时刻才输出。

3、第二。你触发一次，只能保证交流接通半个周期，至交流电压再次过零的时候会关断。所以你必须施加恒定的触发信号或者保证每10毫秒同步地触发MOC3041。---也就是说，这个MOC3041，不具备像寄存器或者D触发器那样的保持功能。

4、MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流，驱动BTA16是没有任何问题的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。

5、何况你画的可控硅符号是错误的。那个非门只是一个驱动作用而已，如果你的单片机的PWM输出的驱动能力够大的话可以不要这个非门。为了消去不必要的猜疑，最好也把1K改为180Ω。

6、看你的功率大小。小功率可直接IO口驱动。大功率可用光耦驱动，光耦可选择过零触发或随机触发，具体参考MOC3041，MOC3061等电路和相关应用说明。

过零可控硅光耦（可控硅过零触发电路原理）