可控硅rc吸收电路（可控硅Rc吸收电路计算）

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电阻一般10-50Ω，电容一般耐压不低于500V，容量一般是pf级别的，容量一般不超过1nF。

推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。

抑制二极管在这个地方可以当作一个稳压管来看待。

电阻选择几十到几百欧的都可以，电容选择几KP的。最好用示波器对比下可控硅两端的波形，在进行参数微调。

显然，你的电容耐压太低。卤素灯由于存在变压器（感性元件），关断时会产生瞬时高压，这个高压可能上千伏，你可以选择更高耐压的电容或是在并接压敏元件进行保护。

压敏电阻只是吸收掉瞬间的高压脉冲的。先要看你的可控硅的型号及参数是否满足你的电路要求。还要看你的电路设计的合不合理。

如果你的是感性负载很可能是电压击穿，因为电流不能突变的原因，可控硅有电流击穿和电压击穿两种，电压击穿很常见，需要做保护电路，你可以用RC电路保护，也可以用压敏电阻等的器件保护，就是在电压升高到击穿之前吧点放掉。

被以上；如果你选择的可控硅电流容量足够的话，应该就是触发的问题了，最大的可能性就是单相触发，这种情况导致点焊机只有半个周期导通，最容易烧坏可控硅。不大可能是保护电路得问题，因为缺少保护可控硅没有那么快被烧。

阻容电路有吸收高次谐波和提高可控硅抗干扰能力；而压敏电阻在输出电压出现异常升高能保护可控硅。这两种措施都是用来保护可控硅可靠工作而设的。

如果给个电路图我就清楚了。被烧的情况有两种：1，电压击穿；2，电流过大。如果完整的电路有了，就好分析了。而且你给的是电路，实际应用的时候的电源是有误差的，请仔细考虑这一点。

可控硅rc吸收电路（可控硅Rc吸收电路计算）

电阻选择几十到几百欧的都可以，电容选择几KP的。最好用示波器对比下可控硅两端的波形，在进行参数微调。

一般R=10欧 10W，C= 0.1uF/400VAC或更高。

可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。

可控硅的选型：首先是要用双向可控硅了。主要根据你的电路所用的电源及负载的功率来选型。如果用于交流220V电路，则选耐压为600V或以上；而电流则选择比负载额定电流的5倍以上的就可以了。

阻容吸收电路，作用是减小可控硅两端电压的变化率，防止误导通。可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。如果可控硅两端电压的变化率太大，就会产生误导通。

那只是在带的是电感负载时用的。用以吸收在关断可控硅那一瞬间电感所产生的的反峰电感电动势用的。

串联的电阻和电容是可控硅的RC阻容吸收保护电路，防止可控硅过压击穿。

这两种措施都是用来保护可控硅可靠工作而设的。当阻容电路损坏后有可能不会马上体现出来，但却会让可控硅工作时可控性减低，如较难稳定的调节输出功率（特别是细微的调节）、输出不稳定等。

因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。在可控硅处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。

可控硅关断的瞬间，电感产生反电势，阻容网络提供续流回路，起到保护可控硅的作用。另外，当电网有突变时，阻容网络也可以吸收一部分尖峰，同样起到保护可控硅的作用。关断时，只要是交流电路，阻容网络会有电流流过。

可控硅阻容吸收电路不影响电磁阀正常工作。根据查询相关资料信息显示，可控硅阻容吸收的原理是为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，从而不影响电磁阀正常工作。

那只是在带的是电感负载时用的。用以吸收在关断可控硅那一瞬间电感所产生的的反峰电感电动势用的。

在实际可控硅电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。可控硅有一重要个特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。

那只是在带的是电感负载时用的。用以吸收在关断可控硅那一瞬间电感所产生的的反峰电感电动势用的。

一般在感性回路中，可控硅关断的瞬间，电感产生反电势，阻容网络提供续流回路，起到保护可控硅的作用。另外，当电网有突变时，阻容网络也可以吸收一部分尖峰，同样起到保护可控硅的作用。

为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

可控硅导通的电流是单方向电流，单方向（可以叫脉动直流）电流不可通过电容器。