可控硅加RC（可控硅加热控制器）

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1、显然，你的电容耐压太低。卤素灯由于存在变压器（感性元件），关断时会产生瞬时高压，这个高压可能上千伏，你可以选择更高耐压的电容或是在并接压敏元件进行保护。

2、压敏电阻只是吸收掉瞬间的高压脉冲的。先要看你的可控硅的型号及参数是否满足你的电路要求。还要看你的电路设计的合不合理。

3、如果你的是感性负载很可能是电压击穿，因为电流不能突变的原因，可控硅有电流击穿和电压击穿两种，电压击穿很常见，需要做保护电路，你可以用RC电路保护，也可以用压敏电阻等的器件保护，就是在电压升高到击穿之前吧点放掉。

4、被以上；如果你选择的可控硅电流容量足够的话，应该就是触发的问题了，最大的可能性就是单相触发，这种情况导致点焊机只有半个周期导通，最容易烧坏可控硅。不大可能是保护电路得问题，因为缺少保护可控硅没有那么快被烧。

5、阻容电路有吸收高次谐波和提高可控硅抗干扰能力；而压敏电阻在输出电压出现异常升高能保护可控硅。这两种措施都是用来保护可控硅可靠工作而设的。

6、如果给个电路图我就清楚了。被烧的情况有两种：1，电压击穿；2，电流过大。如果完整的电路有了，就好分析了。而且你给的是电路，实际应用的时候的电源是有误差的，请仔细考虑这一点。

可控硅加RC（可控硅加热控制器）

1、单硅机效果不好的解决方法如下：4硅是电容放电，泥底水中电阻小，电容放电时间短，脉宽小，自然效果不好。换句话说，在石头底的清水中，同一电压，可能4硅的机好。

2、双硅机应比单硅和四硅的要好，和IGBT比较的话双硅机有尖脉冲输出，IGBT的没有尖脉冲输出，对于不同种类的鱼来说效果不一样，但这二种机型来说差别不是很大，效果都可以，但双硅的比IGBT的稳定耐用。

3、空载调试：先让硅机进行空载调试，将电机的电源断开，然后手动操作控制开关，检查各电机的运转是否正常，各接触器的动作是否灵活，是否有异常声响和异味等。

为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

RC主要是滤波，因为可控硅在谐波较大时会自导通或损坏，RC吸收一部分。

电流不可通过电容器。可以这样理解：交流电第一个正半周可控硅导通了，导通电流是电容放电结果，到负半周电容由于有可控硅阻断无法充电了，到第二个正半周电容也就无法提供可控硅导通电流了。所以，可控硅不可串电容。

一般在感性回路中，可控硅关断的瞬间，电感产生反电势，阻容网络提供续流回路，起到保护可控硅的作用。另外，当电网有突变时，阻容网络也可以吸收一部分尖峰，同样起到保护可控硅的作用。

阻容吸收电路，作用是减小可控硅两端电压的变化率，防止误导通。可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。如果可控硅两端电压的变化率太大，就会产生误导通。

那只是在带的是电感负载时用的。用以吸收在关断可控硅那一瞬间电感所产生的的反峰电感电动势用的。

串联的电阻和电容是可控硅的RC阻容吸收保护电路，防止可控硅过压击穿。

显然，你的电容耐压太低。卤素灯由于存在变压器（感性元件），关断时会产生瞬时高压，这个高压可能上千伏，你可以选择更高耐压的电容或是在并接压敏元件进行保护。

加大电阻的功率，或者减少C14的容量，103似乎太大了，我印象中那个电容不超过1000pF。

当电源接通时，在整流桥右边得到上正下负约220V脉动直流电压，一路加到单向可控硅的阳极，一路经R1限流由稳压管VSVS2稳压得到24V电压，一路由RP到VT2发射极。

朋友，那是触摸调光灯，其原理是利用可控硅的导通原理制成的。主电路由电源开关、灯泡、双向可控硅SCR、电感L等构成；电位器（微调）、（带开关）、电阻、电容和双向二极管组成双向可控硅的触发电路。

也许应该首先检查MOC3021的信号源，断开其输入端，若还出现此情况，问题在于可控硅触发端连接的其它电容充放电误触发，否则就是驱动MOC3021的电路开机时置零有问题，引起开机即输出触发信号，待正常启动后再处于关闭状态。

推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。