可控硅单片机控制（基于单片机的可控硅控制电路）

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你采样的是移相的方式控制可控硅，这种方式就是通过调节相位角度的大小来控制电压或电流的大小。假如你的对象工频是50HZ，则每个工频宽度是20MS，半周是10MS，对应180度的角度。

如果不要求强弱电隔离的话，可以直接控制可控硅的。事实上有好多要求不高的电器，包括出口的，各种认证的小电器产品都有用的是直接控制的，它们的电源部份往往用的是阻容降压。

可控硅便从导通状态变为关断。用可控硅实现交流调压通常有两种触发方式，即过零触发方式和移相触发方式。

可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。

我有一个控制器用的就是阻容降压电路。在驱动数码管和一个指示灯后另外驱动继电器的情况下可以输出9V左右的电压。而这个电压是完全可以控制继电器的。如果你非要用晶闸管控制节能灯的话。就用光耦隔离。

ms后触发可控硅的导通就行。改变延时的时间即可改变负载得到的电压大小。本电路有2种触发方式，一种利用RC充放电实现的控制，这种控制是使可控硅工作在3象限。另外一种是利用MOC3021实现控制，使可控硅工作在3象限。

可控硅单片机控制（基于单片机的可控硅控制电路）

1、不行，用个光耦隔离一下吧，否则一上电，就会看到一缕青烟上青天的。

2、单片机出来的脉冲要经过一级放大再驱动脉冲变压器触发可控硅，相序检测也可以直接用光耦隔离进单片机IO口，每一个单相可控硅在10ms之内必须完成一次双脉冲触发。如果用国产TC787DS专用可控硅触发电路就容易多了。

3、用继电器可以免去隔离了，而且控制也容易，单片机控制一个三极管，再由三极管去驱动继电器，如果继电器很多的话，用三极管有点麻烦，就用ULN2803，一片可以控制8个继电器。

1、可控硅可控制的电压可以做到很高，比如一千多伏。在日常生活中，用在调光，调速等。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

2、朋友，比如可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，可控硅共有三个PN结，分析原理时，可以把可控硅看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当可控硅阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

3、很简单！但使用220V，控制输出在10-14V，不合理，因为相差太大，控制不稳定，输出波形太尖；而且一旦失控，220V的电压直接加在发热管上，后果很严重。最好是把220V变压到20-30V左右，再用可控硅控制。

1、需要利用交流电的作触发信号，单片机生成延迟脉冲，不必使用pwm 注意是调节过零后的延迟时间，再出脉冲。

2、这个我经常用，电机调速控制，严格说这不是PWM，是可控硅移相触发。\x0d\x0a电路很简单，一个可控硅触发电路，一个过零检测电路，配合一段中断服务程序就能完成。

3、双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。

4、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

所以，通过调整这个导通角，可以改变负载的做功能量。实现这个功能，必须知道什么时候是0度。所以，必须有一个交流零点检测电路。一个交流周期会有两个零点信号。采用双向可控硅，则可以实现双向电流控制。

原理很简单，用可控硅的调光台灯电路到处都有，把上边电位器那一部分换成单片机的一个输出端，使用单片机输出PWM信号，即可得到不同的控制电压，以控制可控硅的导通情况。

给我一个利用单片机输出控制可控硅导相角，继而实现对220V交流电机功率控制的汇编语言程序。

可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。

第一：5毫秒显然不够。我国采用的交流电是50Hz，也就是一个周期是20毫秒，半周期是10毫秒。那么要确保在交流电压过零的时候触发，最小保持时间必须大于10毫秒。第二。

1、不行，用个光耦隔离一下吧，否则一上电，就会看到一缕青烟上青天的。

2、如果不要求强弱电隔离的话，可以直接控制可控硅的。事实上有好多要求不高的电器，包括出口的，各种认证的小电器产品都有用的是直接控制的，它们的电源部份往往用的是阻容降压。

3、通常可控硅都是用来控制强电的，不管是单向/双向可控硅都是这样用的，这样的话，就必须加光耦隔离，而不能直接控制的。假如不加隔离的话，那被控制的强电就会加到单片机上了，想一下，单片机能安全吗。