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可控硅怎么测量?
1、单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
2、双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
3、可控硅的好坏可以通过控制极（G）与阴极（K或A2）的性能来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。
4、bt151可控硅好坏怎样测，方法如下：小功率的可控硅，用万能表的电阻档测量，正反向都不通的两个极是A、K极，剩余一个脚就是G脚了。
5、可控硅好坏测量方法如下：工具/原料：万用表、单向可控硅。单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω档，用红黑两笔表分别测任意两引脚间正反向电阻，直至找出读数为数十欧姆的一对引脚。
6、MCR 100-6可控硅属于MCR 100系列，它们的管脚排列都是一样的。拿起可控硅，把表面平的那一面（也就是带有数字型号的）朝向自己，从左到右依次为K， G， A。主要用于继电器灯控制、晶闸管门里驱动。
怎样用万用表测量可控硅的好坏
可控硅的好坏可以通过控制极（G）与阴极（K或A2）的性能来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。
单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
测量可控硅好坏的方法如下：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
可控硅和双向触发二极管的工作原理和好坏判断,值得观看
1、双向触发二极管工作原理如下：当双向触发二极管两端所加电压U低于正向转折电压V（B0）时，器件呈高阻态。当UV(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V（BR）时，管子同样能进入负阻区。
2、双向触发二极管的原理是：双向触发二极管中当瞬态电压超过DIAC和Ubo时，DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通，使后面的负载免受过压损害。
3、在一般情况下，双向触发二极管呈高阻截止状态。工作原理：当外加电压(不分正负)的幅值大于双向触发二极管的转折电压时，它便会击穿导通也就是说只要在它的控制极上加上正的或负的触发脉冲，都能使管子触发导通。
4、双向可控硅触发电路工作原理：可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
5、即达到触发管的转折电压，触发管导通，此时DB3二极管呈负阻状态。DB3二极管属于触发二极管。触发二极管又称双向触发二极管属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。
6、可控硅原理及特性 可控硅的原理及特性：标准的双向可控硅既可被栅极的正向电流触发，也能被栅极的反向电流触发，它可以在四个象限内导通。当栅极电压达到门限值VGT且栅电流达到门限值IGT时，可控硅被触发导通。
怎样测量可控硅?
1、单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
2、双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
3、可控硅的好坏可以通过控制极（G）与阴极（K或A2）的性能来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。
4、单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω档，用红黑两笔表分别测任意两引脚间正反向电阻，直至找出读数为数十欧姆的一对引脚。此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
5、bt151可控硅好坏怎样测，方法如下：小功率的可控硅，用万能表的电阻档测量，正反向都不通的两个极是A、K极，剩余一个脚就是G脚了。
6、在讲晶闸管怎么测好坏之前，先给大家讲一下晶闸管（可控硅）极性的判断方法。晶闸管（可控硅）极性判断的方法 根据封装形式（外观）普通晶闸管（可控硅）的极性可以根据其封装形式来判断。
如何判断这个可控硅的好坏
可控硅的好坏可以通过控制极（G）与阴极（K或A2）的性能来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。
单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
接着测试工作情况，用红黑表笔分别接触T2极和T1极，再用接触T2的表笔同时碰触剩余的G极，若表针偏转角度都较大且能一直保持，则说明可控硅正常，否则质量欠佳不宜使用。
如何判断可控硅的好坏 用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。
工业CT的技术原理是什么？
工业CT（industrial computerized tomography）是指应用于工业中的核成像技术。其基本原理是依据辐射在被检测物体中的减弱和吸收特性。同物质对辐射的吸收本领与物质性质有关。
工业X射线CT扫描（X-CT）设备主要由放射源和探测器两部分组成。仪器基本工作原理是：利用射线穿透物体，收集由于物体的吸收而衰减了的射线强度。
CT又称为计算机断层扫描成像技术。可以应用于医学和工业。
工业CT是随着计算机技术的发展，结合X-Ray检测方案延伸出来的新发展方向。所谓CT即三维X射线扫描，在进行X射线检测时，将待测物体做360 旋转，收集每个角度的X-Ray检测图像，之后就需要利用电脑运算重构出待测物体的实体图像。