快快出库存网--电子元器件库存采销信息平台!【电子元器件客户免费推送!+微信:18665383950 联系】.

双向可控硅驱动(双向可控硅驱动光耦)

本文目录一览:

如何驱动双向可控硅使其控制电源通断

1、双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且连接在强电网络中,其触发电路的抗干扰问题很重要,通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

2、你好:——★可控硅控制的交流电路,控制极(通过限流电阻)加上 12 V 触发电压,就可以导通,断开触发电压,就可以切断主回路电源。

3、同时接继电器的另一端和电源的应该是火线,T1脚接用电器。双向可控硅的作用是相当于电闸,本电路是用温度感应来控制可控硅的通断的,从而来控制电器是否工作的(本电路没接过,只是读原理图而已)。

双向可控硅触发电路中触发电容大小对电路的影响

可控硅的结面积在阻断状态下相当于一个电容,若突然加一正向阳极电压, 便会有一个充电电流流过结面,该充电电流流经靠近阴极的PN结时,产生相当于触发电流的作用,如果这个电流过大,将会使元件误触发导通。

这两个双向可控硅的耐压都是600V,最大电流分别是16A。触发电压一般在2V以下,触发电流一般在5-30mA比较多。不是型号相同触发电流就一样的。触发电压和触发电流大了不要紧的,开关速度会加快。

你好:——★这是一个典型的可控硅调压电路:正半波时,电阻RR2和电位器调节电容C2的充电时间,当C2上的电压达到双向二极管D1的击穿电压时,就会通过可控硅的阴极放电,可控硅导通。

并且要注意电容的高频响应,应使用高频特性好的。压敏电阻本身有反应时间,该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度,而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性,实际的和标识的值有一定的误差。

μ电容放电,过大的电流会损坏双向可控硅的。——★一定要使用该电路作试验,应该采取两个措施:①、限制电容的充电电压,可以在电容上并联6V的稳压二极管;②、限制触发电流。可以在触发回路串联电阻来实现。

双相可控硅驱动35W220V卤素灯,RC电路电容老师击穿!求大神分析一下_百度...

显然,你的电容耐压太低。卤素灯由于存在变压器(感性元件),关断时会产生瞬时高压,这个高压可能上千伏,你可以选择更高耐压的电容或是在并接压敏元件进行保护。

加大电阻的功率,或者减少C14的容量,103似乎太大了,我印象中那个电容不超过1000pF。

当电源接通时,在整流桥右边得到上正下负约220V脉动直流电压,一路加到单向可控硅的阳极,一路经R1限流由稳压管VSVS2稳压得到24V电压,一路由RP到VT2发射极。

朋友,那是触摸调光灯,其原理是利用可控硅的导通原理制成的。主电路由电源开关、灯泡、双向可控硅SCR、电感L等构成;电位器(微调)、(带开关)、电阻、电容和双向二极管组成双向可控硅的触发电路。