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CMOS是什么?
CMOS（本意是指互补金属氧化物半导体，一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料是微机主板上的一块可擦写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。
CMOS是主板上一块可读写的RAM芯片，用于保存当前系统的硬件配置信息和用户设定的某些参数。CMOS RAM由主板上的电池供电，即使系统掉电信息也不会丢失。对CMOS中各项参数的设定和更新可通过开机时特定的按键实现（一般是Del键）。
CMOS是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。本文将深入探究CMOS的功能和特点，帮助读者更好地了解该芯片。不会丢失信息CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。
什么是CMOS工艺
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，制作CMOS集成电路。优势：CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）工艺是一种常见的半导体制造工艺，用于制造集成电路（IC）。以下是CMOS工艺的基本步骤： 晶片准备：开始时，需要准备晶片的硅片（wafer）。
CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。
eflash工艺和cmos工艺差异
总的来说，eFlash和pFlash的区别主要在于应用场景和接口方式。eFlash主要应用于集成电路芯片中，用于高密度存储和程序代码的存储；而pFlash主要应用于外部存储设备中，用于大容量数据的存储，并通过并行接口进行数据读写。
MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺； 2000年： 1Gb RAM投放市场； 2000年：奔腾4问世，5GHz，采用0.18μm工艺； 2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。
Intel公司推出的典型Flash产品，其工艺是由标准的Cmos Eprom工艺发展而来的，单元结构一样。两者差别在于ETOX-Ⅱ的栅极氧化层较薄，为100～120，使它具有电擦除功能。而Epron的氧化层一般为325。
而且CCD制造工艺较复杂，采用CCD的摄像头价格都会相对比较贵。事实上经过技术改造，目前CCD和CMOS的实际效果的差距已经减小了不少。而且CMOS的制造成本和功耗都要低于CCD不少，所以很多摄像头生产厂商采用的CMOS感光元件。
NMOS（n型MOSFET）和PMOS（p型MOSFET）的基本元件可以在硅片模板上制作，因为NMO和PMO在物理特性上是互补的，所以它们被称为CMOS，是一个集成电路的设计工艺。