集成电路衬底（集成电路衬底损伤）

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理论上，P衬底或N衬底都可以。实际上，自由电子的迁移率是空穴的三倍，因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话，通过电流能力要强得多。

电子缺陷少：P型硅衬底的结构和材质可以有效地减少制造中的晶体缺陷，从而产生大量的移动电荷载流子（空穴），并提高 CCD 转换效率。

对于集成电路来讲，最底下的一层叫衬底（一般为P型半导体），是参与集成电路工作的。拿cmos工艺来讲，N沟道mos的p型衬底都是连在一起的，都是同一个衬底。

在衬底上做出p阱，用于制作nMOS晶体管，而在n型硅衬底上制作pMOS晶体管。双阱工艺：双阱cmos工艺采用p型硅晶圆片作为衬底，在衬底上做出N阱，用于制作PMOS晶体管，在衬底上做出p阱，用于制作nMOS晶体管。

原理及区别：（1）纵向PNP管：是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的，故称为纵向PNP管。

集成电路设计(Integrated circuit design， IC design)，亦可称之为超大规模集成电路设计(VLSI design)，是指以集成电路、超大规模集成电路为目标的设计流程。

专业简介集成电路设计与集成系统主要研究集成电路与嵌入式系统的结构、设计、开发、应用等相关的知识和技能，涉及微电子材料、电路与系统、电磁场与微波技术、电磁兼容技术、多芯片组件设计等多方面。

集成电路简介集成电路(integratedcircuit)是一种微型电子器件或部件。

集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。

1、三种衬底材料：蓝宝石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）。蓝宝石的优点：生产技术成熟、器件质量较好；稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；机械强度高，易于处理和清洗。

2、碳化硅的优点为化学稳定性好，导电性能好，导热性能好，不吸收可见光等；缺点为价格高，晶体质量难以达到蓝宝石和硅那么好，机械加工性能比较差，SiC衬底吸收380nm以下的紫外光，不适合用于研发380nm以下的紫外LED。

3、三种衬底材料：蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)。蓝宝石的优点：生产技术成熟、器件质量较好；稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；机械强度高，易于处理和清洗。

4、蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。

双极型集成电路是最早制成集成化的电路，出现于1958年。双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。它包括数字集成电路和线性集成电路两类。

双极型集成电路是在硅平面晶体管的基础上发展起来的，最早的是双极型数字逻辑集成电路。在数字逻辑集成电路的发展过程中，曾出现过多种不同类型的电路形式。常见的双极型集成电路可分类如下。

双极型集成电路是由NPN或PNP型晶体管组成。由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此取名为双极型集成电路，就是人们平时说的TTL集成电路。单极型集成电路是由MOS场效应晶体管组成的。

双极型集成电路的主要特点是速度快、负载能力强，但功耗较大，集成度较低；MOS集成电路的特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。

双极特点：高密度、低功耗和高速大驱动能力等。mos特点：易于控制、功耗很低、集成度高、可裁剪性强。集成电路可实现两者结合。按有源器件类型不同，集成电路又可分为双极型、单极型及双极一单极混合型三种。

防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道，这里是防止衬底与源极的PN结导通，导通了的话，就会有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区。

对于耗尽型，N沟道耗尽型MOS管二氧化硅绝缘层中掺有大量正离子，s和d连的是N＋掺杂区，绝缘层中的正离子作用于P型衬底，漏源之间存在导电沟道，只要漏源之间存在电压就会产生电流。当GS之间电压为正时，沟道变宽。

源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。

方法如下：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出漏极d和源极s。在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层。

集成电路衬底（集成电路衬底损伤）