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温度与电阻之间的计算公式,有吗?
实际应用时，通常采用平均电阻温度系数，定义式如下：TCR（平均）=（R2-R1）/（R1*（T2-T1））=（R2-R1）/(R1*ΔT)R1--温度为t1时的电阻值，Ω；R2--温度为t2时的电阻值，Ω。
电阻ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。
这个关系可以用以下公式表示：R=ρL/A，其中R是电阻值，ρ是电阻率，L是导体长度，A是导体横截面积。可以看出，电阻率ρ与温度有关。对于大多数金属来说，电阻率随温度升高而增大。
)。热电阻阻值与温度的换算公式为：Rt等于R0乘(1加阿尔法乘(t减t0))，其中Rt是热电阻在温度为t时的阻值，阿尔法是热电阻的温度系数，t是热电阻的温度（以摄氏度为单位），t0是参考温度，R0是在参考温度下的阻值。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，还与导体长度、横截面积、材料有关。如：玻璃，碳在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度，单位为m，s为面积，单位为平方米。
温度与电阻的关系
金属导体温度越高，电阻越大，温度越低，电阻越小。超导现象：当温度降低到一定程度时，某些材料电阻消失。
温度与电阻的关系是：在一定的温度范围内，金属导体的电阻值随着温度的升高而增大。这是因为金属导体中的自由电子在热运动中碰撞频率增加，导致电阻率增大。
非金属物质（部分半导体）温度越高电阻越小。原因：当温度上升时，其内部电子运动加剧（但不会来回振动），进而可以运载电荷。如金属的电阻总是随温度的升高而增大，这是因为当温度升高时，金属中分子热运动加剧的结果。
电阻随温度的变化关系是温度越高，电阻越大。拓展知识 导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。
温度升高电阻怎么变化
1、当温度上升时，这些电子会加剧地来回振动，以致于阻碍电流。非金属物质（部分半导体）温度越高电阻越小。原因：当温度上升时，其内部电子运动加剧（但不会来回振动），进而可以运载电荷。
2、温度升高，半导体材料由于内部载流子浓度的增加，电阻会变小。温度升高，一般导体的内部分子运动加速，干扰了电子的定向运动，使电阻变大了。根据欧姆定律，在电压一定的情况下，电阻变大电流变小。
3、温度变化对电阻的影响 试验证明，任何导体的电阻在温度改变时都要发生变化。如金属的电阻总是随温度的升高而增大，这是因为当温度升高时，金属中分子热运动加剧的结果。
4、不规则），金属可以导电。除了自由电子外，金属中的原子在其位置附近振动。振动的强度与金属的温度有关。温度越高，振动就越强。同时，自由电子与原子间碰撞的几率越大，对电子的定向运动也就越有阻碍，即电阻的增加。
5、温度升高电阻怎么变化 那得看形成电阻的材料温度特性怎样。大部分材料，温度升高时电阻增大，如金属电阻等；有些材料，温度升高时电阻减小，热敏电阻；还有些材料在某些温度段，电阻变化非常小，可认为不变，如氧化钉、氧化铅。
6、对于大多数金属来说，电阻率随温度升高而增大。这是因为随着温度升高，金属原子振动加剧，晶格结构发生变化，使得自由电子在晶格中移动时受到更多的散射作用，从而增加了电阻。这种现象被称为热激活效应。
标准铂电阻w100如何计算?
1、R = 100*（1 + aT）R为当前温度下实测的电阻值，T为当前温度值，a为温度系数值，有两种，a= 0.00392 和 a = 0.003851，采用哪个要咨询铂电阻的供应商。
2、A = 9083*10-3 ℃-1 B = -775*10-7 ℃-2 C = -183*10-12 ℃-4 PT100铂电阻，它的阻值会随着温度的变化而改变。PT后的100即表示它在0℃时阻值为100欧姆，在100℃时它的阻值约为135欧姆。
3、电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 。
4、模拟量输入输出。PT100温度传感器给出的是模拟信号，选用西门子300的模拟量输入模块。确定好输入模拟量及对应的温度关系，程序里头做调整。具体接线，查询一下西门子模拟量模块手册或电话咨询。
5、根据韦达公式求得阻值大于等于100欧姆的Rt－〉t的换算公式：0≤t850℃ t=(sqrt((A*R0)^2-4*B*R0*(R0-Rt))-A*R0)/2/B/R0 Rt为t℃时的电阻值，R0为0℃时的阻值。公式中的A，B，系数为实验测定。
6、第四步，计算RT取最大值和最小值时该电路的分辨率。由于此时已知R1～R7的所有电阻阻值，因此可以计算出具备这些参数 的电路在RT取最大值处的分辨率。
