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多晶硅电阻衬底可以接电源吗
可以接电源。多晶硅电阻是一种利用多晶硅材料制成的电阻器，具有高温稳定性、低温度系数、高精度、高可靠性等优点，可用于各种电路中作为电阻元件。因此多晶硅电阻衬底可以接电源。
多晶硅降低衬底寄生电阻的原因主要有两个：多晶硅的电阻率比衬底材料低，因此在多晶硅上生长晶体管可以减小寄生电阻。多晶硅的晶界密度比单晶硅高，晶界处的杂质和缺陷会吸收掉一部分电荷，从而减小寄生电阻。多晶硅是一种半导体材料，其衬底寄生电阻的大小会影响晶体管的性能。
多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。
使用上面的区别 对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。
辉光放电法是将一石英容器抽成真空，充入氢气或氩气稀释的硅烷，用射频电源加热，使硅烷电离，形成等离子体。非晶硅膜就沉积在被加热的衬底上。若硅烷中掺人适量的氢化磷或氢化硼，即可得到N型或P型的非晶硅膜。衬底材料一般用玻璃或不锈钢板。
例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。
多晶硅电阻率的N型和P型有什么区别?
简单地说N型就是在硅电极中加了硼原子，P型就是在硅电极中加入了磷原子。
p型和n型多晶硅有不同的特点和应用场景。p型多晶硅：p型多晶硅的电阻率较大，适合于制作高压电器和开关电源等需要较低电阻的设备，因为它可以更好地限制多晶硅中的电流。此外，p型多晶硅具有更高的抗温度系数，可以在更高的温度下运行。
导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。性能不同：N型掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低。P型掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
打个比方硅锭中硼磷单位体积原子含量比为1：50，当磷原子含量不变，硼原子含量大于1时，该区域肯定是呈现P型；当硼原子含量不变，磷原子含量大于50时，此时该区域肯定宏观上呈现N型。所以说掺多硼杂质会导致硅锭宏观上呈P型，但是并不是越多越好，因为同时要考虑硅锭的电阻率。
压敏电阻器等，以及最基本的二极管。通过将P型和N型半导体结合，可以创造单结半导体元件，如二极管，这是P型半导体与N型半导体结合的典型应用。总之，P型和N型半导体的主要区别在于形成机制、导电粒子类型以及应用特性，前者依赖空穴，后者依赖电子，各自在电子设备中发挥关键作用。
n-type和p-type半导体区别为：是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。是多数载流子不同 n-type半导体：n-type半导体的多数载流子是电子。p-type半导体：p-type半导体的多数载流子是空穴。
多晶硅电阻率一般多少
电阻率100Ω.cmN型。多晶硅电阻率是100Ω.cmN型。多晶硅中由于大量晶粒间界的存在形成缺陷态，使自由载流子的浓度减少，散射大大增加，迁称率减少。
可以使用专门的探针仪器来测试电阻率，一般纯度高的多晶硅电阻率都在1欧姆以上。2可以从色泽上来看。纯度在99999%左右的，行业称5N多晶硅，色泽发量，有些雪花状的纹路。纯度在999999%以上，即6N-9N的多晶硅，色泽柔和，呈浅灰色。
可以使用专门的探针仪器来测试电阻率，一般纯度高的多晶硅电阻率都在1欧姆以上。可以从色泽上来看。纯度在9999%左右的，行业称5N多晶硅，色泽发量，有些雪花状的纹路。纯度在99999%以上，即6N-9N的多晶硅，色泽柔和，呈浅灰色。
