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NTC热敏电阻采用恒流源(或恒压源)上拉方式原理是什么?
原理：将恒流源（或恒压源）直接作用于NTC热敏电阻RT上，当被测对象的温度发生变化，NTC热敏电阻的阻值RT将会跟随变化，这变化反映在△V发生变化，对△V的读取采样，就可获得被测对象的此刻温度值。如在it维持不变的况下，△V=it*Rt。
热敏电阻的负温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。
NTC是负温度曲线的温度传感器，通常这个都采用电阻分压（即串联一个精密电阻），再读取NTC两端电压，算出NTC电阻，再去查NTC对应的电阻温度表来确定温度的。
NTC热敏电阻是指对热敏感的电阻体，具有阻值随温度变化而发生显著变化的特性，电阻值随温度上升而明显减少。是以锰(Mn)、钴(Co)、 镍(Ni)、 铜(Cu)和铝(AI)等过渡金属氧化物为主要材料，南京时恒电子的热敏电阻是采用陶瓷工艺制造而成的。
为什么NTC热敏电阻的电阻值与温度之间的关系?
NTC（Negative Temperature Coefficient）热敏电阻是一种电阻值随温度变化而变化的元件，其电阻值与温度呈负相关关系。这种负温度系数的行为可以通过热运动和能带理论来解释。在NTC热敏电阻中，其电阻值主要是由半导体材料组成的。半导体材料的电阻值与载流子浓度相关，而载流子浓度又受温度影响。
ntc热敏电阻原理NTC热敏电阻（NegativeTemperatureCoefficient）是一种电阻值随温度变化而变化的电阻元件。在温度升高时，NTC热敏电阻的电阻值会减小，而在温度降低时，电阻值会增加。这是因为NTC热敏电阻的材料具有负温度系数，也就是随着温度升高，材料中的离子移动速度增加，导电性增强，电阻值减小。
NTC热敏电阻的阻值与温度变化的对应关系是：负温度系数的热敏电阻，该阻值与温度变化成反比关系，即温度高电阻越小。热敏电阻将长期处于不动作状态；当环境温度和电流处于c区时，热敏电阻的散热功率与发热功率接近，因而可能动作也可能不动作。
NTC，即负温度系数热敏电阻，是一种电阻值随温度变化而变化的电阻元件。NTC热敏电阻的电阻值随温度升高而减小，随温度降低而增大。工作原理是电阻材料中电子移动性随温度变化而变化，从而改变电阻值。
在低温下，由于载流子（电子和空穴）数量少，电阻较高；随着温度上升，载流子增多，电阻值则下降。NTC热敏电阻的电阻范围在室温下通常在10千欧至10百万欧姆之间，温度系数在-2%到-5%之间，广泛应用于测温、控温和温度补偿等领域。
大部分的热敏电阻的阻值随着温度的升高而减小；也有一部分随着温度的升高而增大，这也是大部分导体的性质。一般我们利用前一种热敏电阻的性质。例如利用电阻值随着温度的升高而减小来设计温控电路。当物体的温度升高时，电路中电阻值就减小，而电路中的电流就增大，那电流达到要求的限制电流时就会报警。
热敏电阻的原理是怎样的?它的阻值跟温度有什么关系?
热敏电阻的原理及和阻值的关系如下：热敏电阻的原理 热敏电阻将长期处于不动作状态；当环境温度和电流处于c区时，热敏电阻的散热功率与发热功率接近，因而可能动作也可能不动作。
热敏电阻器是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器（PTC）和负温度系数热敏电阻器（NTC）。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。
热敏电阻是一种特殊的电阻器，其阻值会随着温度的变化而变化。热敏电阻的阻值变化特性与一般的电阻器不同，它并不是线性的，而是呈现出一种指数关系。当温度升高时，热敏电阻的阻值会迅速减小，反之则增大。这种特性使得热敏电阻在温度测量、温度控制等领域有着广泛的应用。
NTC（Negative Temperature Coefficient）热敏电阻是一种电阻值随温度变化而变化的元件，其电阻值与温度呈负相关关系。这种负温度系数的行为可以通过热运动和能带理论来解释。在NTC热敏电阻中，其电阻值主要是由半导体材料组成的。半导体材料的电阻值与载流子浓度相关，而载流子浓度又受温度影响。
热敏电阻的电阻依赖于温度，通常热敏电阻的阻值与温度有一定的关系，温度变化时，它的电阻会有不同的变化。因此，热敏电阻的阻值和温度之间存在着明显的反比关系。热敏电阻的阻值与温度之间的变化率仅取决于被测量的热敏电阻材料特性。基于这一原则，不同热敏电阻材料具有不同的温度与阻值变化率。
正温度系数热敏电阻简称PTC（是Positive Temperature Coefficient 的缩写），超过一定的温度(居里温度)时，它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。其原理是在陶瓷材料中引入微量稀土元素，如La、Nb...等，可使其电阻率下降到10Ω.cm以下，成为良好的半导体陶瓷材料。