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MOS管DN3525N8-G导通电阻是多少?
1、你好，MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。
2、在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体管在工作时，半导体中只有多数载流子起主要作用，所以又称为单极晶体管。
3、MOS管与IGBT的结构特点有明显差异，MOS管通过在漏极上追加层构成IGBT，其理想等效电路是MOSFET和晶体管三极管的结合，IGBT在高压下仍能保持较低的导通电阻。然而，IGBT在低频及较大功率场合下表现更佳，其导通电阻小、耐压高。
4、外围简洁，内部带图腾柱放大，可以直接驱动5-6对左右MOS，而且死区，RT，CT调节方便，是做鱼机首选。前级驱动MOS管的选用，一般用电流大，耐压足够的，导通电阻小的，和W数大的。耐压不宜太高，高耐压的管子必将内阻增大，这样发热就会快。
半导体器件基础09:MOS管特性-导通过程
1、半导体器件基础09：MOS管特性-导通过程 首先，理解MOS管导通过程的关键在于其特征曲线，特别是N沟道增强型MOS管的V-I特性，它分为截止区、可变电阻区、恒流区和击穿区。在可变电阻区，电流ID随VDS电压增加呈线性关系，RDS（ON）参数即反映这一区的导通电阻。
2、将集成电路技术的精细加工技术和高压大电流技术有机结合，出现了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的问世，导致了中小功率电源向高频化发展，而后绝缘门极双极晶体管(IGBT)的出现，又为大中型功率电源向高频发展带来机遇。MOSFET和IGBT的相继问世，是传统的电力电子向现代电力电子转化的标志。
MOS导通电压
P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
MOS管导通时的电压降与导通电阻Rds(on)的大小有关，设计电路时需考虑此因素以确保性能稳定。导通电阻是MOS管在导通状态下的电阻值，导通电流通过时会形成电压降，造成源极与漏极电压差异。影响导通电压降的因素有三个：导通电阻、导通电流大小和温度变化。
mos管导通原理MOS管导通原理是指在MOS管中，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管就会导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。MOS管导通原理的基本原理是，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管中的控制电子就会被激活，从而使MOS管导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。