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FinFET工艺技术详解
FinFET工艺技术与传统平面MOSFET不同，前段采用立体结构，融合了HKMG技术和应变团芦闷硅技术，后期则沿用铜制程的大马士革工艺。 工艺难点在于精细控制Fin的形状，其尺寸是栅长的0.67倍，如22nm工艺中，Fin的宽度仅为167nm。
FinFET工艺技术与传统的平面型MOSFET工艺技术不兼容，采用了立体结构，包括HKMG技术、应变硅技术以及大马士革结构的铜制程。形成Fin的关键在于SADP（Self-Aligned Double Patterning）工艺技术，通过一次光刻步骤形成类似于栅极的辅助层，然后通过干法刻蚀形成Fin的形状。
FinFET技术与平面型MOSFET技术不兼容，采用立体结构，结合HKMG技术、应变硅技术，后段工艺采用大马士革结构的铜制程。制造Fin的关键在于形成形状独特的Fin，其尺寸仅为最小栅长的0.67倍左右，对于22nm工艺，Fin宽度仅为167nm，远小于当时最精密光刻机的制造最小尺寸。
FinFET的工作原理在于，其闸门采用类似鱼鳍的3D架构，而非平面结构，能够在电路的两侧控制电路的接通与断开。如图所示，栅极从三面包围着沟道，通过立体结构增强了栅极的控制能力。加上电压后，形成反型层导电沟道，控制载流子流动，从而实现最基本的开关作用。
FinFET工艺流程主要包含七个关键步骤：首先，基底采用轻度p掺杂硅衬底，其表面覆有硬掩膜层（氮化硅）以及图案化的抗蚀剂层。随后，进行鳍片蚀刻工艺，此工艺需控制蚀刻时间和深度，确保鳍片宽度（约10~15nm）与高度（为宽度的两倍或更多）的合适比例。
半导体工艺，特别是FinFET技术，是微电子领域中的关键组成部分，它在提升集成电路性能和降低功耗方面发挥着重要作用。理解FinFET，首先要从传统的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）结构谈起。
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芯片设计芯片设计是产业链的关键，决定芯片功能、性能与成本，研发实力要求高。根据应用分为四类：集成电路（存储器、微处理器、模拟芯片等）、分立器件（功率半导体）、传感器（MEMS、图像传感器）与光电器件。
半导体上游支撑产业链 半导体设备 设备是半导体产业发展的基石，包括氧化炉、涂胶显影设备、光刻机、刻蚀机、离子注入机、清洗设备、质量检测设备、电学检测设备、CMP设备、CVD设备、PVD设备等。光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备为核心设备，分别占比24%、20%、20%。测试设备和封装设备占比相对较低。
半导体制造在半导体产业链里具有卡口地位。制造是产业链里的核心环节，地位的重要性不言而喻。
新版PFMEA中的过程步骤应该如何理解?
1、一个简单的方法：过程项理解为工序（机械行业不能这样理解），过程步骤理解为工位、工站（汽车电子行业就是工作机台）。注意不能要工位或工站再进行细分为动作。动作是IE研究的对象了。
2、首先，需要识别与工艺生产或产品制造过程相关的潜在失效模式及其起因。这一步骤要求团队成员对整个生产过程进行细致的审视，识别出可能影响产品质量的关键环节。其次，评估这些失效模式对产品质量和顾客可能产生的影响。
3、在进行PFMEA分析时，第一步是策划和准备，需要明确分析项目的范围，并清晰界定边界。如果之前已有PFMEA分析的基础，可以作为参考。第二步是结构分析，推荐使用过程流程图（PFD）进行结构分析。FMEA基于设计来进行失效分析，过程流程图则用于展示设计的制造过程。因此，这一阶段可以称为结构展开或结构呈现。
4、策划与准备：在此阶段，明确FMEA的范围和目的，使用5Ts、框图、过程框图等工具来帮助定义任务和时间安排。同时，组建团队并分配角色，确保适用的工具和资源得到利用。 结构分析：通过边界图和结构树的绘制，对系统进行逐层分解。
5、PFMEA（Process Failure Mode and Effects Analysis）是一种旨在识别和评估潜在失效模式及其对过程影响的方法。它有助于企业在生产过程中预防质量问题，提升产品质量和生产效率。以下是PFMEA的七个步骤： 确定过程：明确要分析的过程，包括所有相关步骤和操作。